半导体光电子器件复习总结.docx

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半导体光电子器件课程梳理

Chap1绪论

半导体激光器的进展

第一进展阶段——同质构造注入型激光器〔二十世纪60年月初〕

特点：对注入的载流子和光场没有限制，阈值电流密度高，只能在液氮和脉冲状态下工作

其次进展阶段——单异质结注入型激光器〔二十世纪60年月末〕

特点：利用异质结供给的势垒把注入电子限制在GaASP-n结的结区内，降低阈值电流密度

第三进展阶段——双异质结注入型激光器〔二十世纪70年月初〕

特点：1〕窄带隙的有源区两侧的宽带隙材料对注入的载流子有限制作用；2〕有源区为高折射率材料，两侧包层是低折射率材料，形成的光波导能够将光场的大局部限制在有源区内，

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