光电检测技术课件.pptVIP

;目录;3.3半导体光电器件

光电导器件:光敏电阻

光伏器件: 光电池/光电二极管/三极管

3.4真空光电器件

光电管

光电倍增管

3.5热电检测器件

热敏电阻

热电偶和热电堆

热释电探测器件;第四节发光、耦合和成像器件

4.1发光二极管

4.2激光器

4.3光电耦合器件

4.4CCD

第五节光电检测系统

5.1直接光电检测系统

5.2光外差光电检测系统

5.3典型的光电检测系统;第一节绪论;光电信息技术;光电检测技术;定义：;例：空调机测量控制室温;直接测量：对仪表读数不经任何运算，直接得出被测量的数值。例如：

长度：直尺、游标卡尺、千分尺

电压：万用表

质量：天平

间接测量：测量几个与被测量相关的物理量，通过函数关系式计算出被测量。例如：

电功率：P=I*V（电流/电压）

重力加速度：单摆测量（L：摆的线长，T：摆动的周期）

;光电探测器的种类;光电检测系统;光电检测系统;光电检测系统;光电检测系统与人操作功能比较;光电检测系统的功能分类;控制跟踪型

跟踪控制：激光制导，红外制导

数值控制：自动定位，图形加工形成，数值控制

图象分析型

图形检测

图形分析;一、在工业生产领域的应用;检测技术在汽车中的应用日新月异;;二、检测技术在日常生活中的应用;三、检测技术在军事上的应用;美国国家导弹防御计划---NMD;“阿波罗10”：;学习本课程的目的;第二节光电检测技术基础;光的基本性质

辐射与光度学量

半导体基础知识

光电效应;光的基本性质;光的基本性质;辐射度的基本物理量;辐射度的基本物理量;基本辐射度量的名称、符号和定义方程;光度量的最基本单位;光度的基本物理量;晴天阳光直射地面照度约为100000lx

晴天背阴处照度约为10000lx

晴天室内北窗附近照度约为2000lx

晴天室内中央照度约为200lx

晴天室内角落照度约为20lx

阴天室外50—500lx

阴天室内5—50lx

月光（满月）2500lx

日光灯5000lx

电视机荧光屏100lx

阅读书刊时所需的照度50~60lx

在40W白炽灯下1m远处的照度约为30lx

晴朗月夜照度约为0.2lx

黑夜0.001lx;半导体基础知识;第三节光电检测器件;半导体的特性;本征和杂质半导体;平衡和非平衡载流子;非平??载流子的产生;半导体对光的吸收;;PN结;PN结的伏安特性曲线

;光电效应;外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物

内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应

光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象;光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。

PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于PN结上加一个正电压。

半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。;光热效应;光电器件的类型与特点

光电器件的基本特性参数

半导体光电器件

光电导器件—光敏电阻

光伏器件

光电池

光电二极管/三极管

真空光电器件

光电管

光电倍增管

热电检测器件

热敏电阻

热电偶和热电堆

热释电探测器件;3.1 光电器件的类型与特点;光电检测器件的类型;光电检测器件;光电检测器件的特点;3.2器件的基本特性参数;一、响应特性;;２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色

光照射下，输出电压或电流与入射的单

色光功率之比．

３．积分响应度：检测器对各种波长光连续

辐射量的反应程度．;４．响应时间：响应时间τ是描述光电探

测器对入射光响应快慢的一个参数。

上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。

下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;光电探测器响应率与入射调制频率的关系

为调制频率为f时的响应率

为调制频率为零时的响应率

?为时间常数（等于RC）;二、量子效率?（?）;三、线性度;四、工作温度;3.3 半导体光电器件;一、光敏电阻;光敏电阻(LDR)和它的符号：;1.光敏电阻的工作原理;入射光;本征型和杂质型光敏电阻;光电导与光电流;光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大，这样光敏电阻的