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模拟电子技术复习资料总结

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

特性---光敏、热敏和掺杂特性。

本征半导体---纯-净的具有单晶体结构的半导体。

两种载流子---带-有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

杂质半导体---在-本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

PN结

PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性 正-向导通，反向截止。

*二极管伏安特性---同-ＰＮ结。

*正向导通压降-----硅-管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压-----硅-管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法 将-二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V V

阳

(正偏)，二极管导通(短路);

阴

若V V

阳

(反偏)，二极管截止(开路)。

阴

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

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2) 等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段---将-二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章§2-1 三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN 和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理

三极管的三种基本组态

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三极管内各极电流的分配

共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子 称为穿透电流。

共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

输出特性曲线

(饱和管压降，用U 表示

CES

放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。

温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高I

CBO

、I

CEO

、I以及β均增加。

C

三. 低频小信号等效模型（简化）

h---输出端交流短路时的输入电阻，

ie

常用r

be

表示；

h---输出端交流短路时的正向电流传输比，

fe

常用β表示；

四.基本放大电路组成及其原则

VT、V 、R、R 、C、C的作用。

CC b c 1 2

组成原则---能-放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

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*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由V

CC

=IR+U

C C CE

确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

改变R ：Q点将沿直流负载线上下移动。

b

改变R

c

：Q点在I

BQ

所在的那条输出特性曲线上移动。

改变V ：直流负载线平移，Q点发生移动。

CC

交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和V直线。

静态工作点与非线性失真

’点V

CC

’=U

CC

CEQ

+I R ’的

CQ L

截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---减小Rb，提高Q。

饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大R、减小Rc、增大V 。

b CC

放大器的动态范围

Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

范围

*当（U

CEQ

－U

CES

）＞（V

CC