石墨烯材料的二维电子学研究.pptx

石墨烯材料的二维电子学研究

石墨烯的电子学特性研究现状及意义

石墨烯二维电子系统的能带结构及电荷输运性质

石墨烯二维电子系统的库仑相互作用及相关物理效应

石墨烯二维电子系统中的量子输运和干涉效应

石墨烯二维电子系统的非线性光学性质及应用

石墨烯二维电子系统的拓扑绝缘态及相关物理性质

石墨烯二维电子系统的超导性和自旋电子学性质研究

石墨烯二维电子系统及应用中的挑战与展望ContentsPage目录页

石墨烯的电子学特性研究现状及意义石墨烯材料的二维电子学研究

石墨烯的电子学特性研究现状及意义石墨烯电子迁移率研究1.石墨烯的电子迁移率是衡量其导电性能的重要指标，近年来，随着石墨烯材料的研究不断深入，其电子迁移率也得到了显著提高。2004年，石墨烯首次被分离出来，其电子迁移率仅为1000cm^2/V·s。2.随着制备工艺的改进和对石墨烯缺陷的有效控制，石墨烯的电子迁移率不断提高。2010年，研究人员成功制备出电子迁移率为10000cm^2/V·s的石墨烯。2013年，研究人员通过在石墨烯表面引入氮原子，成功制备出电子迁移率为20000cm^2/V·s的石墨烯。3.目前，石墨烯的电子迁移率已经可以达到100000cm^2/V·s以上，这使得石墨烯成为一种非常有前途的导电材料。石墨烯的超高电子迁移率为其在电子器件、能量存储和转换等领域应用提供了广阔的前景。

石墨烯的电子学特性研究现状及意义石墨烯量子霍尔效应研究1.石墨烯量子霍尔效应是一种新型的量子效应，它与石墨烯的二维电子结构有关。当石墨烯在强磁场中时，其能级会发生分裂，形成离散的能级带。当费米能级位于这些能级带之间时，石墨烯就会表现出量子霍尔效应。2.石墨烯量子霍尔效应与传统的量子霍尔效应相比，具有许多独特的性质。首先，石墨烯量子霍尔效应的量子化电导率与磁场的平方根成正比，而不是与磁场成正比。其次，石墨烯量子霍尔效应的量子化电导率具有任意值，而传统的量子霍尔效应的量子化电导率只能取某些离散值。3.石墨烯量子霍尔效应不仅具有重要的理论意义，而且还具有潜在的应用价值。石墨烯量子霍尔效应可以用来研究量子霍尔效应的新物理机制，还可以用来制造高精度的电阻标准和量子计算器件。

石墨烯的电子学特性研究现状及意义石墨烯场效应晶体管研究1.石墨烯场效应晶体管（GFET）是一种新型的晶体管，它以石墨烯为沟道材料。与传统的硅基晶体管相比，GFET具有许多独特的优势，如高电子迁移率、低功耗、高开关速度等。2.GFET的研究近年来取得了很大进展。2004年，研究人员首次成功地制备出GFET。2008年，研究人员成功地制备出具有纳米级沟道长度的GFET。2010年，研究人员成功地制备出具有超高电子迁移率的GFET。3.GFET具有广阔的应用前景。GFET可以用来制造高性能的集成电路、高灵敏度的传感器、以及高效率的太阳能电池等。GFET的应用将对电子器件、能源、通信等领域产生深远的影响。

石墨烯二维电子系统的能带结构及电荷输运性质石墨烯材料的二维电子学研究

石墨烯二维电子系统的能带结构及电荷输运性质石墨烯二维电子系统的能带结构1.石墨烯的电子能带结构具有独特的线性色散关系，狄拉克点附近的电子行为类似于无质量的狄拉克费米子。2.线性色散关系导致石墨烯具有很高的载流子迁移率和很低的电阻率，是目前已知导电性最高的材料之一。3.石墨烯的能带结构对电场和磁场非常敏感，电场和磁场的存在可以改变石墨烯的能带结构，从而调控石墨烯的电荷输运性质。石墨烯二维电子系统的电荷输运性质1.石墨烯的电荷输运性质具有很强的各向异性，在不同方向上的电导率不同。2.石墨烯的电荷输运性质对温度和载流子浓度非常敏感，温度升高和载流子浓度增加都会导致电导率下降。3.石墨烯的电荷输运性质可以通过施加电场和磁场来调控，电场和磁场的存在可以改变石墨烯的电导率和霍尔系数。

石墨烯二维电子系统的能带结构及电荷输运性质石墨烯二维电子系统的量子霍尔效应1.石墨烯二维电子系统在强磁场下表现出量子霍尔效应，并且具有非常高的量子霍尔平台，是实现量子计算和自旋电子学器件的理想材料。2.石墨烯量子霍尔效应的平台与传统半导体材料不同，这使得石墨烯量子霍尔器件具有更高的灵敏度和更快的响应速度。3.石墨烯量子霍尔效应的研究为拓扑绝缘体和马约拉纳费米子的研究提供了新的平台。石墨烯二维电子系统的电容率1.石墨烯的电容率非常高，这使得石墨烯具有很强的电荷存储能力。2.石墨烯的电容率对电场和磁场非常敏感，电场和磁场的存在可以改变石墨烯的电容率。3.石墨烯的电容率的研究为电化学传感器和超级电容器的研究提供了新的思路。

石墨烯二维电子系统的能带结构及电荷输运性质石墨烯二维电子系统的热输运性质1.石墨烯的热导率