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大算力时代必经之路,
先进封装正崛起
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1.1
先进封装助力“超越摩尔”,实现高集成、小面积、低功耗。1965年5月,仙童半导体
和英特尔的联合创始人之一戈登·摩尔发表论文预测:芯片上的晶体管数量大约每两年翻
一番,性能也将提升一倍,或成本下降一半。如今,集成电路的发展受“存储墙”“面
积墙”“功耗墙”和“功能墙”的制约。
图:图1:摩尔定律自2005年后逐渐减缓图:台积电12英寸晶圆价格随制程呈指数增长
资料来源:公司公告,ASML,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明4
1.1
针对“存储墙”,即处理器的峰值算力每两年增长3.1倍,而DRAM的带宽每两年增长
1.4倍,使存储器发展速度远落后于处理器。通过TSV、微凸块等先进封装技术制备
HBM(高带宽存储器),能够大幅提升内存带宽,并将其与GPU通过interposer相连,
可以实现存储器与处理器之间数据的超近距离传输。
图:集成电路“存储墙”挑战
资料来源:OPCproject
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1.1
针对“面积墙”,即芯片尺寸受限于光刻机的光罩极限,突破光罩面积将付出极高成本。当前最先
进的极紫外光刻机的最大光罩面积为858mm2(26mm×33mm),突破光罩面积将付出极高成本。
2
此外,随着芯片面积增加,良率随着面积增大而下降。如,工艺成熟后,芯片面积从213mm增加
至777mm2,良率从59%下降到26%,使得成本大幅提升。而通过先进封装技术集成多颗芯片如
“chiplet”异构集成技术,将大芯片拆分成多颗芯粒,以搭积木的形式将不同功能、不同合适工艺节
点制造的芯粒封装在一起,是突破“面积墙”的一种低成本主流方案。
图:集成电路“面积墙”挑战图:芯片良率随着芯片面积增加而迅速下降图:典型Chiplet架构
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资料来源:《先进封装技术的发展与机遇》
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