剩余电阻比测量 谐振腔级铌超导体剩余电阻比测量 征求意见稿.docx

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剩余电阻比测量谐振腔级铌超导体剩余电阻比测量

1范围

本文件描述了谐振腔级铌剩余电阻比（rRRR）的测试方法。

本文件适用于rRRR在150-600级别的高纯铌。本文件的Nb超导体具有矩形或圆形截面、截面面积在1mm2-20mm2、长度不小于宽度或直径的10倍但不大于25倍的样品。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2900.100电工术语超导电性（GB/T2900.100-2017，IEC60050-815:2015，IDT）

3术语和定义

IEC60050-815界定的术语和定义适用于本文件。

3.1剩余电阻比residualresistanceratio(RRR)

rRRR定义为室温时的电阻值与刚超过超导转变温度时的电阻值之比，如下所示

rRRR=R1/R2··········································································(1)

式中：

R1——293K时的电阻；

R2——刚超过超导转变温度（即约10K）时的电阻。

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图1接近超导转变时温度与电阻的关系

注1：本文中室温定义为293K，rRRR值计算如下：图1显示了电阻与温度的关系数据和确定R2值的图示法。在图1中，最大斜率区域沿电阻轴向上外推，如（a）线所示；温度高于转变温度时最小斜率区域沿温度轴向下外推，如（b）线所示。两线在A点的交汇决定了R2的值以及温度值Tc*。

注2：Tc*值类似于参考文献[1]中定义的转变值，不应与[2]中定义的转变中点处的值Tc*混淆。

注3：一些标准或技术文件，如[3]、[4]、[5]和[6]，利用在293K以外的温度时确定的R1或在低于超导转变温度时确定的R2来计算rRRR。本文件的使用者应注意定义上的这种差异。

4原则

室温电阻和低温电阻都应采用四引线法进行测试，测试时可采用温度的函数或者升温时时间的函数。

本测量方法的相对合成标准不确定度为3%（覆盖率为2）。测量应符合以下要求：

a)测量电流足够大，可提供1μV量级的电压信号。为了保证电气安全，最大电流密度不应超过

1A/mm2；

b)电流引线的接触电阻足够低，以避免样品过热。根据典型的低温测量条件要求，触点的处功耗应小于1mW。

c)样本尺寸应足够大，将切割和处理损伤的影响降低到最小程度。典型样品的横截面尺寸为1mm

-3mm，横截面面积大于5mm2。

d)样品长度应至少为宽度或直径的10倍且不超过25倍。附件A阐述了样品尺寸和测量电流的注意事项。

5测量装置

5.1圆柱或平板式样品架

直圆柱或平板式样品架用于安装样品，合适的结构材料包括纯铜、纯铝、纯银、电气用铜锆合金、铬锆铜合金、铍铜合金及其他铜合金、电气用铝镁合金、铝银合金及其他铝合金，以及电气用银合金。这些材料具有高导热性，有助于消除测量过程中的热梯度。样品应与样品架绝缘。合适的绝缘材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚酯和聚四氟乙烯，可用作箔、胶带或涂层。也可使用玻璃纤维增强环氧树脂或在低温时具有良好热导性的其它复合材料。

平板式样品架应有洁净光滑的表面。不应存在毛刺、起皱、接缝或可能影响样本的其他表面微突起。高纯铌样品比较软，容易受到表面瑕疵的压痕，压痕会改变样品，使电阻测量失效。

圆柱或平板式样品架应支撑起样品的整个长度和宽度，其几何结构不应对样品施加超过0.2%的弯曲应变。

温度计最好能精确到0.1K，但不是必需。圆柱或平板式样品架可以包含用于低温温度计的安装座，其直接贴在圆柱形或平板状样品架上，并靠近样品的中心。

实用的平板式样品架长度至少为30毫米，以方便部件组装和人工处理样品。多个样品可以安装在一个平板式样品架上。

5.2低温恒温器和圆柱形或平板样品架的支撑结构

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该装置应提供圆柱或平板式样品架的机械支撑。此外，该支撑结构应为样品提供温度计和电流传输引线，并测量其电压。对于R1和R2的测量，该支撑结构应只允许电流流过样品，因此整个测量电压仅为样品激励的电压。

该支撑结构应在不需要拆卸或重新安装样品的情况下测量R1和R2。测量R2时应使用低温恒温器，而且应与支撑结构结合。

低温恒温器的底部应该能够存储一定的液氦。支撑结构应能方便样品的升降和进