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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101598834A
(43)申请公布日2009.12.09
(21)申请号CN200910062855.6
(22)申请日2009.06.26
(71)申请人长飞光纤光缆有限公司
地址430073湖北省武汉市武昌关山二路四号
(72)发明人韩庆荣杨晨李婧罗杰
(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人胡建平
(51)Int.CI
G02B6/036
C23C16/44
C23C16/30
C03B37/018
C03B37/027
C03C25/38
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种单模光纤及其制造方法
(57)摘要
本发明涉及一种单模光纤及其制造
方法，包括有芯层、内包层、下陷包层和
纯SiO
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1、一种单模光纤，包括有芯层、内包层、下陷包层和纯SiOSub2/Sub玻璃外
包层，其特征在于在芯层外依次设置内包层和下陷包层，所述的芯层由掺锗和氟的
石英玻璃组成，芯层直径a为8.0～8.8微米，相对折射率差ΔSub1/Sub为
0.35～0.38％，氟的贡献量ΔSubF/Sub为-0.09±0.02％；所述的内包层由掺锗和
氟的石英玻璃组成，内包层直径b为18～21微米，相对折射率差ΔSub2/Sub
为0±0.02％，所述的下陷包层由掺氟的石英玻璃组成，下陷包层直径c为26～36
微米，相对折射率差：在下陷包层外界面的ΔSub32/Sub为-0.22％至-0.35％，
在下陷包层内界面的ΔSub31/Sub为-0.20％至-0.35％，且
ΔSub32/Sub≤ΔSub31/Sub。
2、按权利要求1所述的单模光纤，其特征在于所述的内包层从内包层外界面至内
界面，掺氟和掺锗逐渐连续增加，呈梯度变化；所述的内包层外界面氟的贡献量
ΔSubF/Sub为-0.10±0.01％，内包层内界面氟的贡献量ΔSubF/Sub为-
0.16±0.01％。
Claim3、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于所述的掺锗和氟石英玻
璃的材料组成为SiOSub2/Sub-GeOSub2/Sub-F-Cl；所述的掺氟石英玻璃
的材料组成为SiOSub2/Sub-F-Cl。
Claim4、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于所述的外包层直径d为
78-126微米。
Claim5、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤在1310纳米波长
处的模场直径为8.5～9.3微米，零色散波长为1302～1322nm，光纤在零色散波长
处的色散斜率小于或等于0.090ps/nmSup2/Sup.km。
Claim6、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤在1310nm处的衰
减系数小于或等于0.344dB/km，1383nm处的衰减系数小于或等于0.334dB/km，
1550nm处的衰减系数小于或等于0.214dB/km，1625nm处的衰减系数低于
0.224dB/km，在1675nm处的衰减系数小于或等于0.284dB/km。
Claim7、按权利要求1或2所述的单模光纤，其特征在于光纤具有小于或等于
1260nm的光缆截止波长；在1625nm波长处，对于围绕10毫米弯曲半径绕1圈弯
曲附加损耗小于或等于0.2dB；对于围绕7.5毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小
于或等于0.5dB；对于围绕5毫米弯曲半径绕1圈弯曲附加损耗小于或等于1.0dB。
8、一种按权利要求1所述单模光纤的制造方法，其特征在于将纯石英玻
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