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1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般

情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升

而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个

电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又

一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)

虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首

次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导

电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，

这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧

化铜的整流效应。

半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的

材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：半导体

室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取

其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的

元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族

化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-

Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃

半导体、有机半导体等。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半

导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较

高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成半导体

一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子-空穴对，均能自由

移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和

空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子

会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或

晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动

态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生

更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较

大，实际应用不多。

特点

半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整

流特性。

★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性

能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各

自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为

共用电子，构成共价键。

自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能

量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称

空穴。

电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子

电流。

空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移

动），形成空穴电流。

本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极

性不同，它们运动方向相反。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴

均参与导电。