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2024-07-02 发布于山西
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第二讲半导体中的杂质和缺陷能级

2.3缺陷位错能级

1.点缺陷——热缺陷

（1）点缺陷的类型

空位

与温度密切相关

间隙原子

替位原子

空位

迁移到晶体表面迁移到晶体点阵间隙

成对出现

只形成空位

肖特基缺陷弗仑克尔缺陷

间隙原子

使其周围原子偏离平衡位置，造

成晶格胀大而产生晶格畸变。

自间隙原子——晶体本身固有的原子

两种

杂质原子——外来的异类原子

取代晶体本身的原子而落在晶

格结点上，称为替位原子。

替位原子

替位原子半径与晶格原子不同，会造成晶格畸变。

a）半径较小的置换原子b）半径较大的置换原子

（2）点缺陷的来源

元素半导体：其点缺陷是由热振动形成空位和间隙原子。

间隙原子——施主或受主作用

晶格空位——受主作用

化合物半导体

热振动——形成空位和间隙原子

点缺陷

成分偏离正常的化学比

V——Ga空位

GaAsGaAsGa

V——As空位Ga间隙原子

AsAsAsGaAs

As偏多V

GaAsGaAsGa

AsGaGaAs

Ga偏多VAs间隙原子

GaAsGaAsGa

砷化镓中点缺陷示意图

离子晶体硫化物、硒化物、碲化物、氧化物——离子键很强

M——电负性小的原子——间隙原子——施主

表示符号

X——电负性大的原子——间隙原子——受主

MXMXMX

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