晶体三极管及其应用全解课件.pptVIP

模子技晶体三极管及其用第6教学目1.了解三极管的构，理解其工作原理；2.掌握三极管的伏安特性和主要参数；3.会判断三极管的工作状。教学重点三极管的性及工作状判断教学点三极管的流放大原理

模子技半体三极管

半体三极管具有流放大作用，它分双极型和极型两种型。

双极型半体三极管（BJT,BipolarJunctionTransistor），又称晶体三极管，称三极管。因工作有空穴和子两种流子参与而得名。

极型半体三极管又称效管（FET,FieldEffectTransistor），它是一种利用效控制出流的半体三极管，工作只有一种流子（多数流子）参与，故称极型半体三极管。

模子技晶体三极管一、晶体三极管的构与原理二、晶体三极管的特性曲三、晶体三极管的工作状四、晶体三极管的主要参数五、晶体三极管的与六、晶体三极管的用

模子技一、晶体三极管的构与工作原理1、三极管构、符号和分collector集极CC—集区集NP基极BP—基区射BNPNbase—射区E射极EemitterCCBBPNP型ENPN型E

模子技分：按材料分：按构分：按使用率分：低管、高管硅管、管、NPNPNP按功率分：小功率管500mW中功率管0.5?1W大功率管1W

模子技2、三极管的流放大原理（1）三极管放大的条件射区度高基区薄且度低外部集面大射正偏内部条件条件集反偏（2）足放大条件的三种路ECuoECBBuououiuiuiBEC共集极共射极共基极

模子技（3）三极管内部流子的程①射区向基区注入多子子，形成射极流I。ICNICBOE②子到达基区后IB(基区空穴运因度低而忽略)多数向BC方向散形成I。IBN少数与空穴复合，形成IBN。CN基极源提供(I)基区空穴来源IE集区少子漂移(I)B即：I?I+ICBOBNBCBO(画2-1)I=I–IBBNCBO

模子技IC③集区收集散来的流子形成集ICNICBO极流ICIBI=I+ICCNCBOIBNIE

模子技（4）三极管的流分配关系I=I?II=I+IBBNCBOCCNCBO当管子制成后，射区流子度、基区度、集面等确定，故流的比例关系确定，即：穿透流

模子技I=I+IECB

模子技ic+CiBb共射极放大路uCE+u-e-UCCBEiUEBB表1-1流位：mAi00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05Bi

模子技二、晶体三极管的特性曲1、入特性出回路入回路与二极管特性相似

模子技O特性右移(因集开始吸引子)特性基本重合(流分配关系确定)硅管：(0.6?0.8)V取0.7V管：(0.2?0.3)V取0.2V通UBE(on)

模子技2、出特性（画2-2）iC/mA43250μA（1）截止区：?0I=I?040μA30μA20μA10μAIBCCEO1条件：两个均反偏截止区ICEOIB=0246u/VO8CE

模子技（2）放大区iC/mA432150μA40μA30μA20μA10μA放大区条件：射正偏集反偏特点：截止区水平等隔ICEOIB=0/VO246u8CE

模子技（3）和区i/mA43250μA40μA30μA20μA10μAu?uCCEBE和区u=u?u?0CBCEBE放大区条件：两个正偏特点：I??I1CBICEO截止区IB=0246u/VO8CE界和：u=uBECE0.3V(硅管)0.1V(管)UCE(SAT)=深度和：

模子技3、温度特性曲的影响（1）温度升高，入特性曲向左移。TT21O温度每升高1?C，U?(2?2.5)mV。BE温度每升高10?C，I增大1倍。CBO

模子技（2）温度升高，出特性曲向上移。iCTT21i=0i=0BBi=0BuCEO温度每升高1?C，??(0.5?1)%。出特性曲距增大。

模子技三、晶体三极管的工作状三种工作状判断通是截止：以NPN例：UU通BE(th)UU截止BE(th)状流关系条件射正偏集反偏IC=?I放大BI??I两个正偏和界CBI=?I集零偏CSBS截止I0,I=0两个反偏BC

模子技判断和是放大：（1）位判法NPN管UUU放大放大CBEUU?U和ECBPNP管UUUCBEUU?U和ECB（2）流判法II放大II和BBS