晶体中的点缺陷和面缺陷课件.pptVIP

第四章晶体中的点缺陷与缺陷理想晶体：力学上最定的状，内能最低，存在于０K。真晶体：在高于0K的任何温度下，都或多或少地存在着理想晶体构的偏离。晶体构中和理想点构生偏离的区域，就是晶体构缺陷。或：造成晶体点构的周期畸的一切因素，都称之晶体缺陷。晶体构缺陷与固体的学性、机械度、散、、化学反性、非化学量化合物成以及材料的物理化学性能都密切相关。只有在理解了晶体构缺陷的基上，才能明涉及到点迁移的速度程。掌握晶体构缺陷的知是掌握材料科学的基。1

缺陷分按作用范和几何形状分：1、点缺陷：零缺陷，尺寸在一、二个原子大小的。按点缺陷生原因划分：缺陷、缺陷、非化学量构缺陷：2、缺陷：一缺陷，通常指位。3、面缺陷：二缺陷，如：界面和表面等。2

§4-1力学平衡点缺陷一．点缺陷及其分1、点缺陷——造成晶体构的不完整性，局限在原子位置，称点缺陷。如：理想晶体中的一些原子被外界原子所代替；晶格隙中入原子；构中生原子空位等都属点缺陷（缺陷尺寸在一两个原子的大小范）。2、点缺陷的型根据缺陷生的原因，可以把点缺陷分成三种型。（1）缺陷（晶格位置缺陷）——如：空位和填隙原子。填隙原子——原子入晶体中正常点之的隙位置；空位——晶体中正常点上没有原子或离子占据，成空点。力学平衡缺陷：由于振而引起的理想晶体构的点缺陷——本征点缺陷。3

（2）缺陷（成缺陷）——外来原子入晶格成晶体中的。原子入晶体后，破坏了晶体中原子有的排列，并且原子周的周期生化，而形成缺陷。※原子可以取代原来的原子入正常格点的位置，形成置型；也可以入晶格的隙位置成填隙式原子，即隙型，如。填隙缺陷取代缺陷4

（3）非化学量构缺陷(荷缺陷)——有些化合物随气氛和力的化生成偏离化学量的象。从能理看，非金属固体的能有价、和禁。2-41。在0K，空着，价填子。在高于0K，价中子得到能量被激到，在价留有子空穴，中存在一个子。空穴和子周形成了一个附加，引起周期的畸，造成了晶体的不完整性，称荷缺陷。b，在中生子缺陷（n型半体）c，在价生空穴缺陷（p型半体）5

半体材料就是制造荷缺陷和成缺陷。缺陷在生中用很广，如缺陷的存在可使某些晶体着色；隙离子能阻止晶面的滑移，增晶体度；原子能使金属腐加速或延等。例：TiO在原气氛下失去部分氧，形成2→TiO，即（Ti4+→Ti3+），n型半体。2-x6

二、缺陷由于起伏（温度高于0K），晶格内原子振，使一部分能量高的原子离开了正常格点位置，入隙或迁移到晶体表面，在原来位置上留下空位，使晶体生缺陷。种缺陷称缺陷。有两种基本型：肖特基缺陷弗克缺陷7

（1）肖特基（Schottky）缺陷——晶体中能量大的原子离开正常位置而迁移到晶体表面，在晶体内部正常格点上留下空位。2-39(a)于肖特基缺陷，可空位是由表面向内部逐迁移的，并非在晶体内部一次形成。肖特基缺陷的生使晶体的体增加。肖特基缺陷8

（2）弗克（Frenkel）缺陷——晶体中能量大的原子离开正常位置入隙，成填隙原子，并在原来的位置上留下一个空位。2-39(b)于弗克缺陷，隙原子和空格点成生，晶体的体不生改。弗克缺陷9

※在晶体中几种缺陷可同生，但通常必有一种是主要的。一般，正、离子半径相差不大，肖特基缺陷是主要的，如NaCl；正、离子半径相差大，弗克缺陷是主要的，如AgBr。※缺陷的度随温度的上升而呈指数上升。一定温度下，都有一定度的缺陷。10

三.平衡缺陷度缺陷是由于起伏引起的，在一定温度下，当缺陷的生与复合程达到力学平衡，它具有相同的速率。在平衡条件下，缺陷的数目和晶体所的温度有关。即：缺陷度是温度的函数。所以在一定温度下，缺陷的数目可通力学中自由能的最小原理来行算。推程如下：：构成完整晶体的原子数N；TK形成n个空位，每个空位的形成能⊿h个程的自由能化⊿G，化⊿H，?；⊿S；：⊿G=⊿H－T⊿S=n⊿h－T⊿S?11

其中⊿S分两部分：①混合⊿Sc=klnw(由微状数增加而造成)，k——波曼常数；w是力学几率，指n个空位在n+N个晶格位置不同分布排列的数目，w=(N+n)!/N!n!②振⊿S?(由缺陷生后引起周原子振状的改而造成)，∴⊿G=n⊿h－T(⊿Sc+n⊿S)??12

平衡，，根据斯特令公式dlnX!/dX=lnX有：当n《N，……（4-6）；k——波曼常数，1.38×10-23J·K-1N——晶体的原子数；n——TK形成的空位数；⊿G——缺陷形成能，可看作常数。f若肖特基缺陷，⊿G空位形成能。f13

在离子晶体中，若考正、离子空位成出，缺陷度的公式推需考正离子空位数n和离子空位M数n，力学几率W：W=w×w，缺陷度：XMX……（4-7）（表示缺陷在点位置中所占的分数）14

由（4-7）式可：（1）缺陷度随温度升高呈指数增加，随缺陷形成