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第六讲pn结
6.3pn结电容
1.pn结电容的来源
势垒区的空间电荷数量
随外加电压而变化
(电容放电)
电子“存入”
正向偏压A势垒电容CT
空穴(电容充电)
“取出”
B
C
扩散区的空间电荷数量
A增加随外加电压的而变化
B扩散走了(放电)
A电子扩散电容C
空穴D
C积累增加(充电)
C
B
C、C均为可变电容——CdQ/dV
TD
2.突变结的势垒电容
①突变结势垒区中的电场、电势分布
(x)qN(xx0)
Ap
(x)qN(0xx)
Dn
电中性条件:
qNDqNxqNxQ
ApDn
qNA
突变结势垒区内的泊松方程:
2
dV(x)qN
1A(xx0)
2p
dx
2r0
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