晶体三极管与场效应管全解课件.pptVIP

模拟电子技术基础晶体管与场效应管

晶体三极管晶体三极管也称为半导体三极管，简称三极管，由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管简称BJT（BipolarJunctionTransistor）。BJT是一种电流控制电流的半导体器件。作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关.晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。

三极管的常见外形90142N2202

三极管的结构发射结集电结发射结集电结NPPNENCEPC发射区发射区基区集电区集电极基区集电区集电极发射极发射极基极基极NPN型PNP型BBCCBBEE符号符号三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。

BJT的构造(以NPN为例)对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极E、基极B和集电极C。发射区：发射载流子集电极C基极B发射极ECollectorBaseEmitter集电区：收集载流子金属层基区：传送和控制载流子N+N型硅片（衬底）PN-Si

强化练习1集电极CNPN型三极管集电区集电结CNB基极BP基区E发射结符号电路符号N集电区的作用：收集载流子基区的作用：传送、控制载流子发射区的作用：发射载流子发射区发射极E

强化练习2集电极CPNP型三极管集电区集电结CPB基极BNP基区E发射结符号电路符号集电区的杂质浓度：较低基区的厚度：非常薄发射区发射极E发射区的杂质浓度：很高

BJT的组态三极管在使用时，根据实际需要，可接成三种不同的组态。不管接成哪种组态，都有一对输入端和一对输出端；ieicicieibib输出输出输入输出输入输入CBCECC共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示;共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。

BJT的电流放大条件三极管的放大作用是满足自身的内部结构特点的输前入提?发射区的掺杂浓度最高(N+)；回路下，在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现?集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；?基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，出来的。输入回路且掺杂浓度最低。ICRCv内部结构IBCEBBJT的结构特点VCCUCEv外部条件RBUBE发射结正偏，集电结反偏。公共端VBB共发射极放大电路

共射极NPN放大电路三极管在工作时必须加上适当的直流偏置电压。结论：对于正常工作的NPN管，必然有UUU若在放大工作状态：发射结正C偏：BEIC由V保证；必须使：U0BBBEC硅管：U=U-U=0.7（V）NPBEBEIBJC锗管：U=U-U=0.3（V）RBBVCCBEBEJEN集电结反偏：VBBE由V、V保证；BBCCU=V?U0，反偏；集电结电场很强。CBCCBE

共射极PNP放大电路三极管在工作时必须加上适当的直流偏置电压。结论：对于正常工作的PNP管，必然若在放大工作状态：有UUU发射结正偏：CBEIC由V保证；必须使：U0BBBECE硅管：U=U-U=-0.7（V）PBEBEIBJCJE锗管：U=U-U=-0.3（V）NBEBEVCCVCCBRBP集电结反偏：VBB由V、V保证；BBCCU=V?U0，反偏；集电结电场很强。CBCCBE

BJT的管脚与类型判别①中间电位对应管脚B；②NPN管中间电位靠近低电位U;EU?U≈0.7V为Si-NPN管;BEU?U≈0.3V为Ge-NPN管;BE③PNP管中间电位靠近高电位U;EU3U1U?U≈-0.7V为Si-PNP管;U2BEU?U≈-0.3V为Ge-PNP管;BE

例题1在晶体管放大电路中，测得三极管的各个电极的电位如图所示。试判断各三极管的类型（即NPN管或PNP管，硅管或锗管），并区分B、E、C三个电极。因为UUU，132321因为UUU，所以③为B极；所以②为B极；又因为U-U=0.7V，3213又因为U-U=-0.3V，所以该三极管为NPN硅管；所以该三极管为PNP硅锗管；且②为E极；①为C极。UUU123且①为C极；③为E极。U=64-V.53V，V，，UU=2=V=-21，V.8，VU=2U.=75V=-，1.5V1222333

共射极NPN放大电路进入基区少数电子和空穴复合，以及进入发射区的结论：I=I+I发射结正偏，反偏I=I+ICC集NCEBCBO空穴与电子复合而形成电集电区少