使用无定形碳层改善光栅制造的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1666147A

(43)申请公布日2005.09.07

(21)申请号C3

(22)申请日2003.06.25

(71)申请人先进微装置公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人C·E·塔贝里C·F·莱昂斯

(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人戈泊

(51)Int.CI

G03F1/08

G03F7/09

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

使用无定形碳层改善光栅制造的方

法

(57)摘要

一种使用无定形碳层(130)来改善光

栅制造的方法包括：将包括一基板(110)、

一吸收剂(120)、一输送层(130)、一抗反射

涂层(140)、以及一光阻层(150)的叠层沉

积；将该光阻层(150)图案化(45)；以及将

该ARC层(140)以及该输送层(130)蚀刻

(55，65)。该方法同样包括蚀刻(75)该吸收

剂层(120)以及移除(85)该输送层(130)，该

输送层(130)包括无定形碳。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种用无定形碳层(130)来改善光栅的制造方法，该方法包含：

沉积(15，25，35)包括一基板(110)、一吸收剂(120)、一输送层(130)、一抗反射涂

层(140)以及一光阻层(150)的叠层；

图案化(45)该光阻层(150)；

蚀刻(55，65)该抗反射涂层(140)以及该输送层(130)；

蚀刻(75)该吸收剂层(120)；以及

移除(85)该输送层(130)，该输送层(130)包括无定形碳。

2.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻(55，65)该抗反射涂层(140)以及输送层(130)

包括将该光阻层(150)移除。

3.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻(75)该吸收剂层(120)包括将该抗反射涂层

(140)移除。

4.如权利要求1所述的方法，其中移除(85)输送层(130)包括灰化氧等离子体，该输

送层(130)包括无定形碳。

5.如权利要求1所述的方法，其中该输送层(130)具有5至200nm的厚度。

6.一种制造光栅的方法，包含：

图案化(45)置于一SiON层(140)与一无定形碳层上(130)的一光阻层(150)；

以该图案化光阻层(150)为光罩而蚀刻(55，65)该SiON层(140)与该无定形碳层(130)，

以及将配置于该无定形碳层(130)下的含金属层(120)曝光；

以该无定形碳层(130)做光罩而蚀刻该含金属层；以及

移除(85)该无定形碳层(130)。

7.如权利要求6所述的方法，其中以图案化光阻层(150)为光罩而蚀刻(55，65)该

SiON层(140)与该无定形碳层(130)以及将配置于该无定形碳层(130)下的含金属层

(120)曝光，包括在该无定形碳层(130)的蚀刻(75)期间内将该光阻层(150)移除。

8.如权利要求6所述的方法，其中该光阻层(150)具有400nm的厚度。

9.如权利要求6所述的方法，其中该无定形碳层(130)具有大约在30nm与100nm之

间的厚度。

10.如权利要求6所述的方法，其中以该无定形碳层(130)作光罩而蚀刻(75)该含金

属层(120)包括将该SiON层(140)移除。

说明书

技术领域

本发明主要涉及光刻法以及光刻图案化的方法。特别是涉及使用无定形碳层改善光

栅或光罩制造的方法。

背景技术

一般而言，光栅或者光罩是包含输送到晶圆的图案的光刻工具。在集成电路的领域

中，可将光栅归类为含有一个或者更多小芯片的图案的平板，但是无法大到能够一

次输送晶圆尺寸的图案。在集成电路的