《电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法》(TCNS 81-2022).pdfVIP

《电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法》(TCNS 81-2022).pdf

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ICS27.120.01

CCS

F70

团体标准

T/CNS81—2022

电荷耦合器件质子位移损伤效应

模拟试验方法

Simulationtestmethodofprotoninduceddisplacementdamageeffects

incharge-coupleddevice

2022-12-16发布2023-04-01实施

中国核学会发布

T/CNS81—2022

目次

前言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4一般要求2

5试验方法2

6试验报告5

附录A(规范性)电荷耦合器件质子位移损伤效应试验流程6

附录B(资料性)位移损伤剂量计算方法7

附录C(资料性)电荷耦合器件光电参数测试方法8

参考文献13

I

T/CNS81—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国核学会提出。

本文件由核工业标准化研究所归口。

本文件起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院微小卫星创新研究院,中国航天科

技集团公司第五研究院物资部。

本文件主要起草人:文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、

崔帅、李鹏伟。

III

T/CNS81—2022

电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法

1范围

本文件描述了采用质子对电荷耦合器件(CCD)进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法

和程序。

本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,

仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

GB18871电离辐射防护与辐射安全基本标准

GJB1649电子产品防静电放电控制大纲

GJB2712装备计量保障中测量设备和测量过程的质量控制

EMVAStandard1288图像传感器和相机的表征标准(StandardforCharacterizationofImage

SensorsandCameras)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

位移损伤效应displacementda

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