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SiC芯片关键装备现状及进展趋势
SiC产业环节及关键装备
SiC产业链环节
SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进展外延层的制备，承受外延层厚度作为产品的不同系列供货，不同厚度对应不同耐压等级的器件规格，通常为1μm对应100V左右。
SiC芯片制备环节负责芯片制造，涉及流程较长，以IDM模式较为普遍。SiC器件封装环节主要进展芯片固定、引线封装，解决散热和牢
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