YST 981.1-2024《高纯铟化学分析方法 第1部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》.docxVIP

YST 981.1-2024《高纯铟化学分析方法 第1部分:痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》.docx

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ICS77.040.30CCSH17

YS

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T981.1—XXXX代替YS/T981.1—2014

高纯铟化学分析方法

第1部分:痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

Methodsforchemicalanalysisofhighpurityindium—Part1:Determinationoftraceimpurityelementscontent—Glowdischargemass

spectrometry

(报批稿)

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

YS/TXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是YS/T981《高纯铟化学分析方法》的第1部分。YS/T981已经发布了以下部分:——第1部分:痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法;

——第2部分:镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅的测定电感耦合等离子体质谱法;——第3部分:硅量的测定硅钼蓝分光光度法;

——第4部分:锡量的测定苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法;

——第5部分:铊量的测定罗丹明B吸光光度法。

本文件代替YS/T981.1-2014《高纯铟化学分析方法镁、铝、硅、硫、铁、镍、铜、锌、砷、银、镉、锡、铊、铅的测定高质量分辨率辉光放电质谱法》,与YS/T981.1-2014相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:

a)更改了范围(见第1章,2014年版的第1章);

b)更改了方法原理(见第4章,2014年版的第2章);

c)增加了试验条件(见第5章);

d)更改了试剂或材料(见第6章,2014年版的第3章);

e)更改了仪器设备(见第7章,2014年版的第4章);

f)更改了样品的要求(见第8章,2014年版的6.1);

g)更改了试验步骤(见第9章,2014年版的6.4);

h)更改了试验数据处理(见第10章,2014年版的第7章);

i)更改了精密度(见第10章,2014年版的第8章);

j)删除了质量保证和控制(见2014年版的第9章)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位:国标(北京)检验认证有限公司、株洲科能新材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司、东方电气(乐山)峨半高纯材料有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司、朝阳金美镓业有限公司、云南锡业集团(控股)有限责任公司、北京清质分析技术有限公司、武汉拓材科技有限公司、楚雄川至电子材料有限公司。

本文件主要起草人:刘红、向清华、金智宏、谭秀珍、徐成、彭伟校、黎亚文、廖吉伟、汪洋、刘鹏宇、刘智鹏、赵景鑫、陈丽诗、李铭、卢鹏荐、张林、曹昌威、唐朝辉。

本文件于2014年首次发布为YS/T981.1-2014,本次为第一次修订。

YS/TXXXX—XXXX

引言

铟属于稀散金属,密度7.3g/cm3,熔点156.61℃,沸点2080℃,可塑性强,有延展性,可压成极薄的金属片。利用铟合金熔点低的特点可以制成特殊合金,用于消防系统的断路保护装置及自动控制系统的热控装置。添加少量铟制造的轴承合金是一般轴承合金使用寿命的(4~5)倍;铟还可作为Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体材料用于电子工业,如用作锗及其晶体管的掺杂剂和接触剂。锑化铟和砷化铟用于红外探测、光磁器件、磁致电阻器及太阳能转换器等。

YS/T981由5个部分构成。

——第1部分:痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法;

——第2部分:镁、铝、铁、镍、铜、锌、银、镉、锡、铅的测定电感耦合等离子体质谱法;

——第3部分:硅量的测定

硅钼蓝分光光度法;

——第4部分:锡量的测定

苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法;

——第5部分:铊量的测定

罗丹明B吸光光度法。

随着社会的发展和科技的进步,铟的生产工艺水平和检测能力都有了大幅进步,为适应目前行业内对产品纯度的要求,原标准YS/T981.1-2014中技术内容需要进行修订,并将原标准中杂质元素个数由14种增加为73种。该标准的修

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