GaN功率器件及其应用现状与发展.docx

GaN功率器件及其应用现状与进展

秦海鸿;董耀文;张英;徐华娟;付大丰;严仰光

【摘要】电力电子器件是电力电子技术的重要根底.现有硅基电力电子器件的性能已经靠近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能.以氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件的争论热点.介绍了氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和试验室争论现状,阐述了其在典型场合中的应用,并剖析了其进展中存在的挑战.

【期刊名称】《上海电机学院学报》

【年(卷),期】2023(019)004

【总页数】11页(P187-196,215)

【关键词】宽禁带半导体器件;氮化镓;电力电子技术;现状;进展

【作者】秦海鸿;董耀文;张英;徐华娟;付大丰;严仰光

【作者单位】南京航空航天大学自动化学院,南京211106;南京航空航天大学自动化学院,南京211106;南京航空航天大学自动化学院,南京211106;南京航空航天大学自动化学院,南京211106;南京航空航天大学自动化学院,南京211106;南京航空航天大学自动化学院,南京211106

【正文语种】中文

【中图分类】TN386

电力电子变换器广泛应用于航空、电动汽车、工业设备和家用电器等众多领域，其普遍进展趋势是如何进展高效率的功率变换和如何实现更高的功率密度或功能密度

[1]。一代电力电子变换器面临着很大的挑战，要求其具有更高效率、更高功率

密度和在高温环境下牢靠工作[2-3]。电力电子器件是电力电子技术的重要根底，器件的性能对整个电力电子装置的各项技术指标和性能有着重要的影响。目前，电力电子变换器中普遍承受Si基功率器件，然而硅电力电子器件经过近60年的长足进展，性能已经趋近其理论极限，通过器件原理的创、构造的改善及制造工艺的进步已经难以大幅度提升其总体性能，不能满足下一代电力电子变换器高温、高压、高频、高效和高功率密度的要求，渐渐成为制约将来电力电子技术进一步进展的瓶颈之一[2]。基于型宽禁带半导体材料的电力电子器件具有更优越的性能，成为功率器件的争论热点。目前，宽禁带半导体器件中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子器件均已有商业化产品，对宽禁带器件进展相关应用问题的争论有助于其在更宽阔的领域得到应用。

宽禁带半导体材料GaN具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场大、化学性质稳定等特点。因此，基于GaN材料制造的电力电子器件具有通态电阻小、开关速度快、耐压高、耐高温性能好等特点。与SiC材料不同，GaN材料除了可

以用于制作器件外，还可以利用GaN所特有的异质结构造制作高性能器件。GaN可以生长在Si、SiC及蓝宝石上，在价格低、工艺成熟、直径大的Si衬底上生长的GaN器件具有低本钱、高性能的优势，因此，受到宽阔争论人员和电力电子厂商的亲睐。

本文对GaN二极管和GaNHEMT的进呈现状进展了介绍，对其在典型电力电子

变换器中的应用现状进展了探讨，并对其在进一步进展中所面临的挑战进展了论述。GaN功率二极管包括两种类型：GaN肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode,

SBD)和PN二极管。GaN肖特基二极管主要有横向、垂直和台面3种构造(见图

1)。横向构造利用AlGaN/GaN异质结构造，在不掺杂的状况下就可以产生电流，但横向导电构造增加了器件的面积以及本钱，且器件的正向电流密度普遍偏小。垂

直构造是一般电力电子器件主要承受的构造，可以产生较大的电流，有很多争论机

构利用从外延片上剥离下来的厚的GaN独立薄片做成纵向导电构造的SBD，但是该种外延片缺陷密度高，制造出来的器件虽然电流较大，但是反向漏电流也格外大，导致其击穿电压与GaN材料应到达的水平相距甚远。因此，对于垂直构造GaNSBD的争论主要还是停留在仿真以及改善材料特性阶段。台面构造，也称为准垂

直构造，一般是在蓝宝石或SiC衬底上外延生长不同掺杂的GaN层，低掺杂的N-层可以提高器件的击穿电压，而高掺杂的N+层可形成良好的欧姆接触，这种

构造结合了横向构造和垂直构造的优点，同时也具有自身的缺点，其优势是可以与传统工艺兼容，将尺寸做得比较大[5]。

图2为PN二极管构造示意图，其衬底为2英寸厚的N++掺杂GaN体，同质外延层通过金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition,MOCVD)的方法制造[6]。依据击穿电压的不同，N型缓冲层的掺杂浓度范围是(1～3)×1016/cm3，厚度为5～20μm。目前为止，耐压为3.7kV的

GaNPN二极管已经在GaN体晶片上制作