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第一部分;目录;;;;;;;;;;;;;15;;;;;;;;;;;;4.1相比于湿法刻蚀;;29;4.3氧化物的干法刻蚀;4.3.1下层材料的选择比;4.3.2光刻胶的选择比;4.3.3侧壁剖面;4.4氮化物的干法刻蚀;3.6硅的干法刻蚀;4.5多晶硅的刻蚀;(C)、最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留物和剩余的多晶硅，并保证对柵氧化层的高选择比，这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
多晶硅珊是难以刻蚀的结构，在刻蚀过程中需要仔细且精密。具有0.15μm特征尺寸器件的柵氧化层厚度是20~30A(等6~10个氧化硅原子层的厚度)。氧化硅厚度的损伤不得超过5A(大约1.5个氧化硅原子层)。为了防止栅氧化层的穿透，刻蚀的选择比要大于150:1;为了去除刻蚀残留物和多余的多晶硅，过刻的选择比要大于250:1。;3.6.2单晶硅的刻蚀;3.7金属的刻蚀;刻蚀对象;;;感谢聆听
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