知识点：三极管的主要参数-教学文稿.pptx

上海电子信息职业技术学院电路分析与应用

常用半导体器件知识点——三极管的主要参数上海电子信息职业技术学院

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上海电子信息职业技术学院（一）如何选用三极管当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?这就需要考虑三极管的参数。

上海电子信息职业技术学院（一）三极管的类型及材料首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。

上海电子信息职业技术学院（一）三极管的类型及材料在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数1.直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo：发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数1.直流参数（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）：基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数1.直流参数（3）发射极---基极反向电流Iebo：集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。（4）直流电流放大系数β1（或hEF）：这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数2.交流参数（1）交流电流放大系数β（或hfe）：这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：β=△Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数2.交流参数（2）共基极交流放大系数α（或hfb）：这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△Ic/△Ie因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：α=β/（1+β）β=α/（1-α）≈1/（1-α）

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数2.交流参数（3）截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαofβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数3.极限参数（1）集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显着下降，影响放大质量。（2）集电极----基极击穿电压BVCBO当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数3.极限参数（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。

上海电子信息职业技术学院（二）三极管的主要参数3.极限参数（5）集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic，温度要升高，