GaAs发光二极管的制造方法.docx

名目

\l“_TOC_250009“摘要 1

\l“_TOC_250008“第一章：绪论 3

\l“_TOC_250007“：砷化镓材料的性质 4

\l“_TOC_250006“：砷化镓材料的进展 4

\l“_TOC_250005“：LED用砷化镓材料进呈现状 4

\l“_TOC_250004“其次章：砷化镓材料的制备和进展 6

\l“_TOC_250003“2.1：砷化镓材料的制备方法状况 6

第三章：放光二极管的进展 8

：LED的进呈现状和制造方法 8

\l“_TOC_250002“：发光二极管中半导体材料的选择 9

：LED的缺点和优点 10

\l“_TOC_250001“第四章：砷化镓发光二极管的制造方法 12

\l“_TOC_250000“：砷化镓发光二极管的构造组成 12

：制造砷化镓发光二极管的方法 13

结论 15注释 16参考文献 17谢辞 18

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摘 要

目前的二元无机化合物半导体材料有600多种，其中已经得到有用的只有局部Ⅲ一V族、II一Ⅵ族、Ⅳ一Ⅵ族及Ⅳ一Ⅳ族化合物等。【1】砷化嫁(GaAs)晶体是一种电学性能优越的III--V族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得到广泛应用。

砷化镓(GaAs)材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。作为其次代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。【2】由于其优越的性能和能带构造，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大进展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍把握在日本、德国以及美国的国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。发光二极管(LED)是砷化镓材料的重要应用领域之一，在国际半导体照明产业进展方兴未艾之际，争论LED用砷化镓材料生产的相关技术无疑具有重要意义。

关键词：砷化嫁；半导体; LED

Abstract

Binaryinorganiccompoundsareknowntohave600kindsofsemiconductormaterials,whichhavebeenusefulonlypartofaVgroupⅢ,IIaⅥgroup,ⅣⅣafamilyandaⅣⅥfamilycompounds.【1】marriedarsenide(GaAs)crystalisasuperiorelectricalpropertiesofIII-Vcompoundsemiconductormaterialsasthesubstrateforitsproductionofsemiconductordevicesandintegratedcircuitsasinformationprocessingspeed,ultrahighfrequency,lowpower,lownoise,andotherprominentadvantagesarewidelyused.

Galliumarsenide(GaAs)materialistheproductionofthelargestandmostwidelyusedand,therefore,themostimportantcompoundsemiconductormaterials,siliconissecondonlytothemostimportantsemiconductormaterials.Asasecond-generationsemiconductor,galliumarsenidesinglecrystalbecauseofitsexpensiveandisknownas“semiconductornobility,“said.【2】becauseofitssuperiorperformanceandenergybandstructure,thegalliumarsenidelight-emittingmaterialsindevicessuchasmicrowavedevicesandhasgreatdevelopmentpotential.GaAsmaterialiscurren