镀膜简介完整版本.pptVIP

等离子体等离子体空间镀膜的工艺种类1.PVD2.CVD：3.Epitaxy4.旋涂PVDPVD(PhysicalVaporDeposition)，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。PVD分类1.SPUTTER1）DC溅射2）RF溅射3）磁控溅射4）脉冲溅射2.EVAPORATION3.离子镀sputtering直流溅射(DCMagnetronSputtering)原理：由一对阴极和阳极组成的二级冷阴极辉光放电管组成。1.阴极相当于靶，阳极同时起支撑基片作用。2.到达真空状态之后,在靶和基板之间加高电压。3.电子和离子在高电压下高速运动,离子撞击靶材,高速运动的电子和离子与气体分子碰撞,产生更多的离子。4.离子撞击靶后,把靶材的粒子溅射出去。5.被溅射出来的靶材的粒子到达成膜基板上成膜。直流溅射(DCSputtering)DC直流溅射存在的缺点：原料(靶)是强绝缘体的时候,表面会有离子堆积,使放电中止，所以不能对绝缘体进行溅射RF溅射（RFSputtering）

RF—13.56Mhz（工业用频率，不干扰无线电通信）优点：a、二次电子能够被充分利用，充分产生碰撞电离；b、电源的引入：通过电容或电感耦合可对介质溅射。★直流溅射只能溅射导体材料★射频消除介质靶表面的正电荷集聚，可以溅射介质材料。磁控溅射(MagnetronSputtering)溅射镀膜如直流二极(三极)溅射或射频溅射等的最大缺点是溅射速率较低，与蒸发镀膜速率相比要低一个数量级。又如直流二极溅射需要的放电压力很高，处于阳极的基体要受到高能粒子的轰击而损伤，并引起基体温度升高，这也是不希望存在的。二十世纪70年代中期发展起来的磁控溅射技术克服了上述溅射镀膜的“低速”和“高温”等缺点并保持了其优点，得以迅速发展和广泛应用。目前，磁控溅射已成为重要的薄膜沉积技术之一。磁控溅射(MagnetronSputtering)缺点：靶材的磨损不均匀(磁场较强的地方被大量溅射、在磁场南北极中间线附近溅射量较少)。反应磁控溅射（ReactiveMagnetronSputtering）反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入一定比例的反应气体,通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。在存在反应气体的情况下,溅射靶材时,靶材料会与反应气体反应形成化合物,最后沉积在基片上。在惰性气体溅射化合物靶材时,由于化学不稳定性往往导致薄膜较靶材少一个或更多组分,此时如果加上反应气体可以补偿所缺少的组分,这种溅射也可视为反应溅射。Si靶＋CH3/ArSiC薄膜Ti靶＋N2/ArTiN薄膜（25℃）Ta靶＋O2/ArTa2O5薄膜（400℃）Fe靶＋O2/Arγ－Fe2O3薄膜Al靶＋N2/ArAlN薄膜Ti＋Pb靶＋O2/ArPbTiO3薄膜脉冲溅射脉冲磁控溅射(10～350kHz)已经成为公认的作为绝缘材料沉积的优选的工艺过程,该技术使用的脉冲电源输出电压波形是非对称的双极性脉冲,脉冲电源的正向脉冲对于释放靶表面的积聚的电荷、防止打弧是有效的,脉冲工作方式在沉积中提供稳定无弧的工作状态。天津RC300-1设备的溅射情况重庆sputtering设备的溅射情况evaporationTheprincipleofevaporation在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。Themeritanddemeritofevaporation真空蒸发镀膜法的优缺点：优点：是设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩膜可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。蒸发源的类型真空蒸发使用的蒸发源根据其加热原理可以分为：1.电阻加热2.电子加热3.高频感应加热4.电弧加热5.激光加热1．电阻蒸发源采用电阻加热要选取适宜的电阻材料，实际使用的电阻加热材料一般均是一些难熔金属如WMo、Ta等等。用这些金属做成形状适当的蒸源，让电流通过，从而产生热量直接加热蒸发材料。2.电子束蒸