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场效应晶体管的种类之一薄膜晶体管

01发展历程分析展望关键技术非晶硅TFT-LCD显示系统与控制模块目录030204

基本信息薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，简称TFT）是一种器件。TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备，该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。是最好的LCD彩色显示器之一，TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，其显示效果接近CRT显示器。同时，TFT式屏幕也普遍应用于中高端彩屏手机中，分色、16万色，1600万色三种，其显示效果非常出色。TFT是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息，TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）是多数液晶显示器的一种。

发展历程

发展历程有关薄膜晶体管方向的研究可追溯至上世纪初叶，场效应晶体管的概念及初步定义是由德裔美国物理学家JuliusEdgerLilienfeld于1925年提出，并在1930年申请该项专利。在1940年代，贝尔实验室成立了一个半导体研究小组，该研究小组工作领域的其中一项就是探索半导体以及与半导体有关的技术，例如制备可调节半导体通道中电流的器件。1947年，贝尔半导体研究小组成员巴丁（JohnBardeen）和布列坦（WalterH.Brattain）两人在实验室内成功制备出了点接触型晶体管，一种用于放大电信号的半导体放大器。之后，肖克利（WilliamShockley）于1948年初在巴丁和布列坦的研究基础上发明了双极性晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）。三位研究人员因其在半导体领域的突出贡献，于1956年被授予诺贝尔物理学奖。因为受到当时薄膜晶体管制备工艺的限制，美国无线电公司实验室的Weimer在1962年使用多晶CdS薄膜作为沟道层成功制备了第一个真正的薄膜晶体管，Weimer制备的TFT器件结构为顶栅底接触，选择用SiO2材料作为TFT绝缘层，Au作为栅极和源、漏电极，以玻璃为基底。1968年，RCA实验室的乔治·海尔迈耶（GeorgeHeilmeier）成功研发了世界上第一块液晶面板（LiquidCrystalDisplay,LCD），但该液晶面板仍存在部分较为严重的问题，尚无法直接投入显示器领域。此时，控制面板上使用的显示方法是电极交叉阵列显示，改变一个像素会影响其他相邻单元，从而导致图像失真扭曲。1971年，为了有效解决这一技术难题，Lechner等人首次尝试将TFT与LCD相结合，该实验从寻址电路的复杂性，显示器的寿命和功耗方面入手，使用2×18液晶显示矩阵来测试，点矩阵显示电路的电极的交叉点连接到非线性电路，该结构由薄膜晶体管和电容器单元组成，并且除了起到开关的作用外，还可以保持像素单元的电压。显著提高了液晶面板图像的显示质量。

关键技术

技术特点资料关键技术

资料技术解析TFTTFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。和TN技术不同的是，TFT的显示采用“背透式”照射方式——假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下，而是从下向上。这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管，光源照射时通过下偏光板向上透出。由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到显示的目的，响应时间大大提高到80ms左右。因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩，荧屏更新频率也更快，故TFT俗称“真彩”。相对于DSTN而言，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。因而每个节点都相对独立，并可以进行连续控制。这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，同时也可以精确控制显示灰度，这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。绝大部分笔记本电脑厂商的产品都采用TFT-LCD。早期的TFT-LCD主要用于笔记本电脑的制造。尽管在当时TFT相对于DSTN具有极大的优势，但是由于技术上的原因，TFT-LCD在响应时间、亮度及可视角度上与传统的CRT显示器还有很大的差距。加上极低的成品率导致其高昂的价格，使得桌面型的TFT-LCD成为遥不可及的尤物。

技术特点TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液晶（LC）、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL