第12章-光刻：掩膜-光刻胶和光刻机.pptVIP

第十一章

光刻

简单的说，光刻就是用照相复印的方法，将掩膜版上之图形精确地复印到涂在硅片表面的光致抗蚀剂（Photoresist）（下面统称光刻胶）上面，然后在光刻胶的保护下对硅片进行离子注入，刻蚀，薄膜淀积等各种工艺。11.1光刻工艺的8个基本步骤

一．成底膜处理（HMDSCoating）衬底材料对光刻工艺的影响有三个方面：表面清洁度、表面性质（疏水或亲水）、平面度。硅片清洗：除去表面沾污。脱水烘焙：形成干燥疏水性的硅片表面。增粘处理：六甲基二硅胺烷（HMDS）处理SVG90涂胶台前烘条件的选取，对光刻胶的溶剂挥发量和光刻胶的粘附特性，曝光特性，显影特性以及线宽的精确控制都有较大的影响。没有经过前烘的可能后果：光刻胶薄膜发黏，容易受到颗粒沾污。旋转涂胶的内在应力将导致粘附性问题。溶剂含量过高导致显影时溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。溶剂在曝光时受热挥发，沾污光学系统透镜。前烘设备真空热板上进行热传导。热量从硅片背面接触从热板传递到光刻胶。光刻胶由硅片和光刻胶的接触面向外加热，可以使溶剂更快的挥发除去，循环时间短。真空热板加热平面必须严格水平。通过前烘，溶剂含量由65%－85%降低到4%到7%左右。四.对准与曝光对准与曝光是