【英语版】国际标准 IEC 63068-2:2019 EN Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection 半导体器件-功率器件用碳化硅单晶外延片非破坏性缺陷识别标准（Pa.pdf

IEC63068-2:2019ENSemiconductordevices–Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepaxialwaferforpowerdevices-Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspection是关于半导体设备的一项国际标准。它详细规定了用于识别功率器件用碳化硅单晶外延片中缺陷的非破坏性识别标准，特别是使用光学检测的方法。

这个标准的主要内容包括：

1.标准的适用范围：该标准适用于功率器件用碳化硅单晶外延片中缺陷的检测。

2.检测方法：该标准详细描述了使用光学检测的方法，包括设备、步骤、样本准备、检测标准等。

3.缺陷分类：该标准对可能出现的缺陷进行了分类，包括但不限于裂缝、气泡、杂质、形状不规则等。

4.检测精度：该标准对检测设备的精度和检测人员的操作技能都提出了要求，以确保检测结果的准确性和可靠性。

这个标准为半导体设备制造商提供了检测碳化硅单晶外延片中缺陷的规范和方法，有助于提高产品质量和可靠性。使用光学检测的方法可以快速、准确地进行大规模检测，提高生产效率。