【英语版】国际标准 IEC 63068-4:2022 EN Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optic.pdf

IEC63068-4:2022ENSemiconductordevices-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepaxialwaferforpowerdevices-Part4:Procedureforidentifyingandevaluatingdefectsusingacombinedmethodofopticalinspectionandphotoluminescence是一套关于半导体设备的国际标准，特别针对用于功率设备的碳化硅单晶外延片中的缺陷进行非破坏性识别标准。本部分标准提供了使用光学检测和荧光光度计相结合的方法来识别和评估缺陷的流程。以下是标准中关于该部分的详细解释：

一、背景

IEC63068-4标准是为了保证半导体设备的质量和性能，提高生产效率和降低生产成本而制定的。对于功率半导体设备中使用的碳化硅单晶外延片，其质量直接关系到设备的性能和稳定性，因此需要进行严格的质量控制。

二、主要内容

1.缺陷识别方法：采用光学检测和荧光光度计相结合的方法，通过观察和测量晶片的表面和内部缺陷，如裂纹、杂质、气孔等，来确定缺陷的类型和位置。

2.流程：首先进行光学检测，初步识别出缺陷的类型和位置，再通过荧光光度计进行更深入的分析，确定缺陷的成分、深度和影响等。最后，根据分析结果进行评估，确定缺陷的严重程度和处理方法。

三、实施注意事项

1.设备要求：实施过程中需要使用专业的光学检测设备和荧光光度计，这些设备需要经过校准和验证，以确保检测结果的准确性和可靠性。

2.人员要求：实施人员需要具备一定的半导体设备检测经验和专业知识，能够熟练操作设备和进行数据分析。

3.数据处理：实施过程中需要记录和分析大量的数据，需要采用专业的数据处理方法，确保数据的准确性和可靠性。

IEC63068-4:2022ENSemiconductordevices-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepaxialwaferforpowerdevices-Part4:Procedureforidentifyingandevaluatingdefectsusingacombinedmethodofopticalinspectionandphotoluminescence是一套非常详细和专业的标准，对于保证碳化硅功率半导体设备的质量和性能具有重要意义。