【英/法语版】国际标准 IEC 63011-3:2018 EN-FR Integrated circuits - Three dimensional integrated circuits - Part 3: Model and measurement conditions of through-silicon via 集成电路-三维集成电路-第3部分：硅通孔的模型和测量条件.pdf

IEC63011-3:2018EN-FR整合电路上电路(Integratedcircuits)-三维整合电路(Threedimensionalintegratedcircuits)-第3部分:从芯片中穿透出来的集成电路电通路的模型与测量条件(Part3:Modelandmeasurementconditionsofthrough-siliconvia)

IEC63011-3标准详细说明了关于穿透式芯片电通路的模型和测量条件。它主要涉及到三维集成电路中的一种特殊结构-“通过式硅通路”（Through-siliconvia，简称TGV或TSV）。这是一种用于在三维集成电路中实现更高层次的互连的技术。

在三维集成电路中，TGV允许电路层之间的直接电气连接，从而提高了电路的集成度和性能。然而，由于这种结构的高度和尺寸通常较小，并且通常位于芯片的内部，因此对它的测量和建模提出了挑战。IEC63011-3标准提供了关于如何处理这些挑战的指南和条件。

标准详细说明了如何确定和设定测量条件，例如照明和视角，以便在图像处理和分析中考虑到TGV的特征。标准还提供了关于如何处理环境光、散射、反射和阴影等问题的指南。这些条件和指南对于确保准确测量和理解三维集成电路中的TGV至关重要。

IEC63011-3:2018EN-FR标准为从芯片中穿透出来的集成电路电通路的模型和测量条件提供了详细的指南和条件，这对于理解和评估三维集成电路的性能和集成度至关重要。