第16章-离子注入.pptVIP

第十六章离子注入控制杂质的浓度和深度16.1.1概况离子注入工艺在离子注入机内进行。注入机包含离子源部分，它能从源材料中产生带正电荷的杂质离子。离子被吸出，然后用质量分析仪将它们分开以形成需要掺杂离子的束流。离子束在电场中加速，获得很高的速度（107cm/s数量级），使离子有足够的动能注入到硅片的晶格结构中。束流扫描整个硅片，使硅片表面均匀掺杂。注入之后的热退火过程将激活晶格结构中的杂质离子。所有注入工艺都是在高真空下进行的。离子注入机示意图离子注入机IonImplanterAnalyzingMagnet高能离子注入的线性加速器工艺线直击——离子注入16.2.2离子注入参数一．剂量剂量（S）是单位面积硅片表面注入的离子数，S可由下面的公式计算：其中，S=剂量，I=束流，t=注入时间，q=离子所带电荷，A=注入面积。注入能量对应投影射程图注入离子的浓度分布在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可近似取高斯函数形式离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。注入离子如何在体内静止？1963年，Lindhard,ScharffandSchiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称LSS理论。该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程(1)核阻止（nuclearstopping）(2)电子阻止（electronicstopping）总能量损失为两者的和核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论阻止本领（stoppingpower）：材料中注入离子的能量损失大小单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量(Sn(E),Se(E))。核阻止本领：来自靶原子核的阻止，经典两体碰撞理论。电子阻止本领：来自靶内自由电子和束缚电子的阻止。电子阻碍Se(E)：总阻止本领（Totalstoppingpower）核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端）电子阻止本领在高能量下起主要作用总射程为R，则：而投影射程和投影偏差分别为：【例3】假设硼以100keV，每平方厘米5×1014个离子的剂量注入200mm的硅晶片。试计算峰值浓度。如果注入在1分钟内完成，求离子束电流。16.2.3注入离子的真实分布

真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。一．横向效应横向效应是指注入离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。横向效应直接影响了MOS晶体管的有效沟道长度。对于掩膜边缘的杂质分布，以及离子通过一窄窗口注入，而注入深度又同窗口的宽度差不多时，横向效应的影响更为重要。横向效应不但与注入离子的种类有关，而且也与入射离子的能量有关。图10.11表示了注入离子的横向分布。横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度二．沟道效应（ChannelingEffect）当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿着沟道运动，这些离子受到的阻止作用很小，它们的能量损失率很低，所以在沟道中会注入很深。因此很难控制注入离子的浓度分布，并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾。浓度分布由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴”控制沟道效应的方法对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7-10o用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization）增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少）表面用SiO2层掩膜三.注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？【例4】当硼离子以200keV注入时，需要多少厚度的SiO2来阻挡99.996%的入射离子？（Rp=0.53μm,σp=0.093μm）四．浅结的形成随着集成电路集成度的提高，器件的特征尺寸越来越小。为了抑制MOS晶体管的穿通电流和减小器件的沟道效应，要求减小CMOS的源/漏结的结深