第四讲-半导体基本知识.pptVIP

杂质半导体常用的杂质元素三价的硼、铝、铟、镓五价的砷、磷、锑通过控制掺入的杂质元素的种类和数量来制成各种各样的半导体器件。⑵PN结的伏安特性曲线OD段表示PN结正向偏置时的伏安特性，称为正向特性；曲线OB段表示PN结反向偏置时的伏安特性，称为反向特性。U（mV）I（mA）0图4-5PN结的理论伏安特性DT=25℃B-IS（V）0.255075100(uA)0.511.52画出PN结的理论伏安特性曲线。⑶PN结的反向击穿加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PN结击穿，发生击穿所需的电压称为击穿电压，如图所示。反向击穿的特点：反向电压增加很小，反向电流却急剧增加。UBRU（V）I（mA）0图4-6PN结反向击穿①雪崩击穿由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反向电压增加到一定数值时，空间电荷数目较多，自建电场很强，使流过PN结的少子漂移速度加快，可获得足够大的动能，它们与PN结中的中性原子碰撞时，能把价电子从共价建中碰撞出来，产生新的电子空穴对。雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。②齐纳击穿强电场破坏共价健引起的。齐纳击穿通常发生在掺杂浓度较高的PN结中。雪崩击穿和齐纳击穿均为电击穿。(2)、伏安特性UIE+-*半导体基本知识中国地质大学材料科学与化学工程学院第四讲1本征半导体(Highpuritymaterial)现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。Si硅原子Ge锗原子硅和锗的共价键结构+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子共价键共用电子对完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。半导体中的载流子自由电子(Electron)空穴（Hole）空穴和自由电子同时参加导电，是半导体的重要特点价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子的同时，在原来的共价键位置上留下了一个空位，这个空位叫做空穴。空穴带正电荷。由于空穴带正电荷，且可以在原子间移动，因此，空穴是一种载流子。半导体中有两种载流子：自由电子载流子（简称电子）和空穴载流子（简称空穴），它们均可在电场作用下形成电流。晶体共价键结构平面示意图本征半导体的特性(1)本征半导体在绝对零度（T=0K相当于T=－273℃）时，相当于绝缘体。在室温条件下，本征半导体便具有一定的导电能力。(2)在本征半导体中，激发出一个自由电子，同时便产生一个空穴。电子和空穴总是成对地产生，称为电子空穴对。(3)半导体中共价键分裂产生电子空穴对的过程叫做本征激发（IntrinsicExcitation）。(4)产生本征激发的条件：加热、光照及射线照射。本征半导体的电导率很小，而且受温度和光照等条件影响甚大，不能直接用来制造半导体器件。本征半导体的物理性质：纯净的半导体中掺入微量元素，导电能力显著提高。掺入的微量元素——“杂质”。掺入了“杂质”的半导体称为“杂质”半导体。2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）图N型半导体晶体结构示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键掺入五价原子①N型半导体掺入五价原子占据Si原子位置在室温下就可以激发成自由电子杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。自由电子的数目高，故导电能力显著提高。把这种半导体称为N型半导体，其中的电子称为多数载流子（简称多子），空穴称为少数载流子（简称少子）。在N型半导体中自由电子数等于正离子数和空穴数之和，自由电子带负电，空穴和正离子带正电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。①N型半导体空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动硅或锗+少量硼?P型半导体②P型半导体在本征半导体中加入微量的三价元素，可使半导体中的空穴浓度大为增加，形成P型半导体。空位A图4-3P型半导体晶体结构示意图+4+4+4+4+4+3+4+4+4共价键空位吸引邻近原子的价电子填充，从而留下一个空穴。在P型半导体中，空穴数等于负离子数与自由电子数之和，空穴带正电，负离子和自由电子带负电，整块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。杂质半导体的示意表示法