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GaN(0001)缺陷表面诱导生长STO薄膜的理论研究中期报告

一、研究背景和意义

GaN（氮化镓）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的电学、光学和机械性能，在高频电子器件、光电器件、高温高压电子器件、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。制备高质量的GaN材料是实现这些应用的关键。目前，主流的制备方法包括热沉积法和分子束外延法等，但它们的制备成本较高，且制备难度大，无法满足大规模工业化生产的需求。因此，开发更简单、更经济的制备方法十分必要。

表面诱导生长（SIG）是一种利用表面缺陷引导晶体生长的方法，它具有简单、成本低、易操作等优点，因此在研究和制备半导体材料中具有重要的应用价值。SrTiO3（STO）是一种功能性氧化物材料，具有优异的电学、光学、磁学等性能，在磁电、光电等器件中都有广泛的应用，同时也是一种良好的衬底材料，适合用于生长其它材料的薄膜。因此，利用SIG方法在GaN表面上生长STO薄膜是一种新颖的制备方法，具有十分重要的理论和实验研究意义。

二、研究进展

本文采用密度泛函理论（DFT）计算方法，研究了GaN（0001）表面上单测量原子和单测量带电原子与STO薄膜生长的可能性和稳定性。采用VASP程序包进行计算，使用广义梯度近似（GGA）近似计算了体系的能量、电子结构和力学性质等。计算模型采用了超胞模型，GaN表面选择了（1*1）面和（2*2）面，STO薄膜选择了（001）面。

计算结果表明，GaN（0001）表面上的硅原子和钛原子都具有一定的吸附能，这意味着在这些表面缺陷上生长STO材料是可行的。此外，钛原子在GaN表面缺陷上的吸附能比硅原子更强，也更有可能在GaN表面上形成稳定的化学键。STO薄膜可以在不同的GaN表面缺陷上生长，但在GaN（2*2）表面缺陷上生长更有利于形成稳定的薄膜结构。同时，STO薄膜的生长还受到表面缺陷密度和温度等因素的影响，需要进一步研究。

三、研究展望

目前，研究团队正在进一步开展研究工作，包括优化计算模型，进一步研究STO薄膜的生长机制和影响因素，实验验证计算结果等。预计通过这些研究成果，将为新型材料的研发和应用提供有力的理论支持。