半导体发光器件——LED和LD简介-郑志胜.pptVIP

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2024-07-22 发布于北京
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半导体发光器件——LED和LD简介-郑志胜.ppt

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半导体发光器件——LED和LD简介报告人：郑志胜一、发光二极管（LED)顶端发射二极管LED分类侧面发射型发光二极管辐射机理：当某种外部扰动（电压，电流）产生了电子-空穴对时，电子-空穴对的复合会产生一个辐射。1.顶端发射二极管类型普通结构巴勒斯结构特点：结构简单；特点：圆对称性结构；外部耦合效率较差；辐射率高；辐射率低。光谱远场图有圆对称性。2.侧面发射二极管类型结构图如下特点：功率小；发射区尺寸小；发散角小；辐射度高。二、半导体激光二极管1.结构图2.激光管驱动阈值当注入载流子产生的增益系数等于激光器的损耗时，此时的电流称为阈值电流。阈值越小越好。激光二极管的模式在激光管中一般存在3个模式，m，s和q。也就是在三个轴线上的光场波腹数。m对应于y轴，称为横模；s对应于x轴，称为侧模；q对应于z轴，称为纵模。光谱宽度单模工作时Δλ可到0.1A，具有明显的相干性。巴勒斯LED的光谱宽度30nm≤Δλ≤50nm。三、LED和LD的调制特性1.限制因素低电流时,是P-N结的空间电荷电容CJ；高电流时,是注入复合区的少数载流子的寿命τ。2.增加带宽的方法增加复合区中掺杂剂的浓度，但会减小量子效率；增加电流密度。例巴勒斯LED的3dB带宽小于100MHz；改进的顶发射LED的3dB带宽约为500MHz；侧面发射LED的3dB带宽小于400MHz；普通通讯LD的调制带宽均在1GHz以上。**点接触npnSiO2环形接触接触条形接触SiO2aSiO2P-GaAsP-GaAlAs3.激光器发射的若干问题**