模拟电子技术基础第六章半导体二极管及其应用电路演示文稿.pdf

模拟电子技术基础第六章半导

体二极管及其应用电路演示文

稿

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在是1\一共有67\于星期二

（优选）模拟电子技术基础第

六章半导体二极管及其应用电

路

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6.1半导体材料

导电能力介于导体与绝缘体之间的物质

称为半导体。半导体材料的电学性质对

光、热、电、磁等外界因素的变化十分

敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可

以控制这类材料的电导率。正是利用半

导体材料的这些性质，才制造出功能多

样的半导体器件。

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6.1.1本征半导体

锗：

1886年2月，德国化学家Winkler向德国化学

协会作了关于发现锗报告，并将此元素命名为

Germanium以纪念其祖国Germany。

锗在地壳中含量为0.0007%，较金、银、铂的

含量均高，由于资源分散，增加了冶炼困

难，属于稀有元素一类。

锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。

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6.1.1本征半导体

硅：

1823年，瑞典的贝采利乌斯，用氟化硅或氟

硅酸钾与钾共热，得到粉状硅。

硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。

地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构

成的，这些岩石几乎全部是由硅石和各

种硅酸盐组成。

硅是一种半导体材料，可用于制作半导

体器件和集成电路。

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6.1.1本征半导体

硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构

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6.1.1本征半导体

本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈

单晶体形态。

在绝对温度零度即0K，相当于-273℃)，且无外界激发时，本

征半导体无自由电子，和绝缘体一样不导电。

当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响，某些

共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的

束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同

数量的空穴。

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6.1.1本征半导体

空穴——共价键中的

空位。

电子空穴对——由热

激发而产生的自由电

子和空穴对。

空穴的移动——空穴

的运动是靠相邻共价

键中的价电子依次充

填空穴来实现的。

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6.1.1本征半导体

本

征

激

发

动画

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6.1.1本征半导体

空

穴

的

运

动

动画

在是10\一共有67\于星期二

6.1.1本征半导体

本征半导体特点：电子浓度＝空穴浓度

缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差

本征半导体的导电能力弱。如果掺入微量的杂质元素，导

本征半导体的导电能力弱。如