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SiO2基体上直流磁控溅射LaB6ITO复合薄膜的性能研究的开题报告
摘要:
本文旨在研究SiO2基体上的直流磁控溅射LaB6ITO复合薄膜的性能。本研究分为两部分:首先,我们将制备LaB6和ITO单层薄膜,并测量它们的光学和电学性能;其次,我们将制备LaB6ITO复合薄膜,并通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和霍尔效应等方法对其进行表征。
从实验数据分析结果可以得出,制备的单层LaB6和ITO薄膜均具有良好的光学和电学性能。制备的LaB6ITO复合薄膜的表面形貌光滑,没有明显的裂纹和缺陷,薄膜与基底之间的结合紧密。同时,复合薄膜的导电性能也有所改善。通过对XRD图谱的分析,可以发现LaB6和ITO的晶体结构均能得到保持,复合薄膜有较好的晶体生长性。
因此,本研究证明了制备的LaB6ITO复合薄膜具有良好的光学和电学性能,并且表面形貌光滑、结合紧密、导电性能改善明显。
关键词:直流磁控溅射;LaB6ITO复合薄膜;SiO2基体;光学性能;电学性能
Abstract:
ThispaperaimstostudytheperformanceofDCmagnetronsputteredLaB6ITOcompositefilmsonSiO2substrates.Thisstudyisdividedintotwoparts:first,wewillprepareLaB6andITOmonolayerfilms,andmeasuretheiropticalandelectricalproperties;second,wewillprepareLaB6ITOcompositefilmsandcharacterizethembyscanningelectronmicroscopy(SEM),atomicforcemicroscopy(AFM),X-raydiffraction(XRD),andHalleffect,etc.
Theexperimentaldataanalysisresultsshowthatthepreparedsingle-layerLaB6andITOfilmshavegoodopticalandelectricalproperties.ThesurfacemorphologyofthepreparedLaB6ITOcompositefilmissmooth,withoutobviouscracksanddefects,andtheadhesionbetweenthefilmandthesubstrateistight.Atthesametime,theconductivityofthecompositefilmhasalsobeenimproved.ThroughtheanalysisoftheXRDspectra,itcanbefoundthatthecrystalstructureofLaB6andITOcanbemaintained,andthecompositefilmhasgoodcrystalgrowth.
Therefore,thisstudyprovesthatthepreparedLaB6ITOcompositefilmhasgoodopticalandelectricalproperties,andthesurfacemorphologyissmooth,theadhesionistight,andtheconductivityissignificantlyimproved.
Keywords:DCmagnetronsputtering;LaB6ITOcompositefilm;SiO2substrate;opticalproperties;electricalproperties
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