忆阻器模型建立.docVIP

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2024-07-20 发布于湖南
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忆阻器模型建立.doc

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以下是我为你总结的摘要摘要忆阻器模型建立探讨记忆元件的特点及其应用领域文献通过对惠普实验室的研究成果进行了深入分析并提出了一系列新的窗函数，并将其应用于解决内存设备中的边界效应问题论文还介绍了一种能够反映记忆元件阈值特性的数学模型，并基于此构建了一个具有阈值特性和二元性的忆阻器模拟模型，进而证明了其适用性和可靠性最后，通过实验手段验证了模拟模型的正确性和可行性

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摘要

本文介绍了忆阻器的基本特性，分析了惠普实验室研究出的线性杂质漂移模型，并介绍了为解决忆阻器边界效应而提出的三种窗函数，并使用MATLAB对三种窗函数曲线进行绘制，分析比较了三种窗函数模型共同之处与不同之处。之后介绍了可以表现忆阻器阈值特性的数学模型，并基于数学模型搭建了具有阈值特性和二元性的忆阻器仿真模型，介绍了忆阻器仿真模型每个电路模块的具体功能，并通过使用Multisim对搭建的电路进行仿真分析该模型的特性，验证了该仿真模型的正确性和可行性，符合忆阻器所具有的一些特性。利用建立的忆阻器仿真模型搭建了单纯由忆阻器构成的逻辑与门、逻辑或门以及可以同时

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