YDB 025-2008 光通信用半导体激光器组件技术条件 2.5Gbs电吸收调制半导体激光器组件.docxVIP

通信标准类技术报告

YDB025—2008

光通信用半导体激光器组件技术条件

2.5Gb/s电吸收调制半导体

激光器组件

Technicalrequirementsofsemiconductorlaserassemblyforopticalfibercommunication

2.5Gb/selectro-absorptionmodulatedsemiconductorlaserassembly

2008-11-12印发

中国通信标准化协会发布

I

YDB025—2008

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语、定义、缩略语及符号 1

4技术要求 4

5测试方法 6

6可靠性试验分类和试验方法 8

7其它要求 9

8产品检验 9

9产品管理、包装、运输和贮存要求 10

附录A(资料性附录)密集波分复用光传输系统中心波长 12

附录B(资料性附录)封装尺寸及管脚定义 15

Ⅱ

YDB025—2008

前言

本技术报告第7章参照MIL-STD-883G(2006)《微电子器件试验方法》、TelcordiaGR-468-CORE(2004)《用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求》。

与本技术报告《光通信用高速半导体激光器组件技术条件》相关的还有以下两个通信行业标准：

——第1部分：2.5Gb/s致冷型直接调制半导体激光器组件；——第2部分：2.5Gb/s无致冷直接调制半导体激光器组件。

为适应信息通信业发展对通信标准文件的需要，在信息产业部统一安排下，对于技术尚在发展中，又需要有相应的标准性文件引导其发展的领域，由中国通信标准化协会组织制定“通信标准类技术报告”,推荐有关方面参考采用。有关对本技术报告的建议和意见，向中国通信标准化协会反映。

本技术报告的附录A、附录B为资料性附录。

本技术报告由中国通信标准化协会提出并归口。

本技术报告主要由中兴通讯股份有限公司、武汉邮电科学研究院、信息产业部电信研究院起草。本技术报告的主要起草人：张立昆、葛超、张红宇、任之良、赵文玉、余向红。

YDB025—2008

光通信用半导体激光器组件技术条件2.5Gb/s电吸收调制半导体激光器组件

1范围

本技术报告规定了2.5Gb/s电吸收调制半导体激光器组件的术语和定义、技术要求、测试方法、可靠性试验分类和试验方法、产品检验和产品管理等。

本技术报告适用于高速光纤通信系统中采用的2.5Gb/s电吸收调制半导体激光器组件。

注：这里的2.5Gb/s速率只是一种通俗的说法，实际上指的是标准SDH速率等级中的STM-16,定义的标准速率为2.48832Gb/s,2.5Gb/s电吸收调制半导体激光器组件的带宽实际可以支持到2.67Gb/s的FEC速率。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本技术报告的引用而成为本技术报告的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本技术报告，然而，鼓励根据本技术报告达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本技术报告。

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