1霍尔传感器的工作原理讲解.ppt

霍尔传感器霍尔传感器同其他磁敏传感器一样，都是能感应磁场，并将其转换成电信号输出的传感器，可以用来检测磁场及变化，目前应用日趋广泛。霍尔传感器是由霍尔元件、磁场和电源组成的。学习单元二霍尔传感器霍尔传感器的工作原理一、一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场（磁场方向垂直于薄片）中，如图4-9所示。当在侧面加控制电流I时，在垂直于电流和磁场方向的另两侧上将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B的乘积成比例的电动势UH。这种现象称为霍尔效应，它是由美国物理学家霍尔于1879年发现的。这个电动势称为霍尔电动势。图4-9霍尔效应原理图霍尔传感器霍尔效应的产生是运动的载流子受磁场洛伦兹力作用的结果。半导体中的载流子（电子）在洛伦兹力的作用下向前移动的同时将向侧面偏转，于是一边形成电子积累，另一边形成正电荷积累，在半导体两侧形成电场，该电场将阻止电子的继续偏转。当电场力与洛伦兹力相等时，电子积累达到动态平衡，此时形成的电位差就是霍尔电压UH。（4-8）式中，RH为霍尔系数；I为激励电流；B为磁感应强度；d为霍尔元件厚度。霍尔传感器霍尔系数RH=ρμ，其中，ρ为载流体的电阻率，μ为载流子的迁移率。半导体材料的电阻率较大，载流子迁移率很高，就可以获得很大的霍尔系数，适于制造霍尔元件。一般电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用N型半导体材料。令KH=RH/d，则式（4-8）变为UH=KHIB（4-9）霍尔传感器KH称为霍尔元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流作用下霍尔电势的大小。一般要求霍尔元件的灵敏度越大越好。由于金属的电子浓度很高，因此它的霍尔系数或灵敏度都很小，不适宜制作霍尔元件；元件的厚度d越小，灵敏度越高，因而制作霍尔片时可采取减小d的方法来增加灵敏度，所以霍尔元件一般都比较薄。但是不能认为d越小越好，因为这会导致元件的输入和输出电阻增加。如果磁感应强度B和元件平面的法线方向成一角度θ，那么作用在元件上的有效磁场是其在法线方向的分量，此时UH=KHIBcosθ（4-10）