T_IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检测方法.docxVIP

ICS29.045H80/84

团体标准

T/IAWBS021-2024

碳化硅晶片边缘轮廓检测方法

Testmethodsforedgecontourofsiliconcarbidewafers

2024-05-17发布2024-05-24实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

I

T/IAWBS021—2024

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4方法提要 1

5干扰因素 1

6仪器设备 2

7试样 2

8测试程序 2

9精密度 3

10测试报告 3

II

T/IAWBS021—2024

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口。

本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材