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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101447463A
(43)申请公布日2009.06.03
(21)申请号CN200810181940.X
(22)申请日2008.11.28
(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司
地址中国台湾新竹市
(72)发明人陈宪伟蔡豪益郑心圃刘豫文
(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司
代理人陈晨
(51)Int.CI
H01L23/00
H01L23/522
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
具有多层接线结构的半导体晶片
(57)摘要
本发明公开一种具有多层接线结构的半导体晶片。晶片包括：位于晶片上且排置成一阵列的多个裸片区以及位于裸片区之间的多个切割道区。具有未掺杂硅玻璃(undopedsilicaglass，USG)顶层接线层位于超低介电常数(extremely－lowdielectricconstant，ELK)接线层上方的半导体晶片的切割道具有至少一金属层结构大体覆盖由二切割道交界而成的角落区，以抑制晶片切割操作期间USG/ELK界面发生剥离。本发明能够解决现有技术中存在剥离缺陷问题，提高了IC装置的可靠度。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
权利要求说明书
1.一种具有多层接线结构的半导体晶片，该晶片包括：
多个裸片区，位于该晶片上且排置成一阵列，其中所述多个裸片区具有一结构，包括：
一第一组一层或一层以上的接线层，包括一第一组导体金属及用以在该第一组导体金属之间作为绝缘的一第一介电材料；
一第二组一层或一层以上的接线层，位于该第一组接线层上方，包括一第二组导体金属及用以在该第二组导体金属之间作为绝缘的一第二介电材料，其中该第一介电材料的介电常数低于该第二介电材料；以及
一顶层钝化层，位于该第二组接线层上方；以及
多个切割道区，位于所述多个裸片区之间，其中该第一组及该第二组导体金属未延伸至所述多个切割道区内且所述多个切割道区包括：
多个金属层结构，设置于该第二组接线层上，所述多个金属层结构的每一个大体位于所述多个切割道区的一角落区，其中该角落区定义于二切割道的交界处，以通过位于所述角落区的所述多个金属层结构来抑制晶片切割操作期间该角落区内的该第一介电材料与该第二介电材料之间发生剥离。
2.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中所述多个裸片区的每一个具有一密封环，且所述多个金属层结构与邻近的所述多个裸片区的所述密封环维持一间距，该间距小于或等于6微米。
3.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中所述多个金属层结构设置于该顶层钝化层上。
4.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中该第一介电材料由三甲基硅烷类的有机硅玻璃所构成。
5.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中该第二介电材料由未掺杂硅玻璃、氟掺杂硅玻璃、或氮化硅所构成。
6.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中该顶层钝化层由未掺杂硅玻璃、氟掺杂硅玻璃、或氮化硅所构成。
7.如权利要求1所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中该顶层钝化层与该顶层钝化层维持一间距。
8.一种具有多层接线结构的半导体晶片，该晶片包括：
多个裸片区，位于该晶片上且排置成一阵列，其中所述多个裸片区具有一结构，包括：
一第一组一层或一层以上的接线层，包括一第一组导体金属及用以在该第一组导体金属之间作为绝缘的一第一介电材料；
一第二组一层或一层以上的接线层，位于该第一组接线层上方，包括一第二组导体金属及用以在该第二组导体金属之间作为绝缘的一第二介电材料，其中该第一介电材料的介电常数低于该第二介电材料；以及
一顶层钝化层，位于该第二组接线层上方；以及
多个切割道区，位于所述多个裸片区之间，其中该第一组及该第二组导体金属未延伸至所述多个切割道区内且所述切割道区包括：
一金属层，设置于该第二组接线层上，该金属层大体占据所述多个切割道区，以通过位于所述多个切割道区的该金属层来抑制晶片切割操作期间该第一介电材料与该第二介电材料之间发生剥离。
9.如权利要求8所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中所述多个裸片区的每一个具有一密封环，且该金属层与邻近的所述多个裸片区的所述密封环维持一间距，该间距小于或等于6微米。
10.如权利要求8所述的具有多层接线结构的半导体晶片，其中该金属层设置于该顶层
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