半导体物理讲义.pptVIP

8.1表面态

8.2表面电场效应

8.3MIS结构的电容-电压特性

8.4硅-二氧化硅系统的性质

8.5表面电导及迁移率

8.6表面电场对pn结特性的影响;表面电场效应

理想与非理想的MIS结构的C-V特性

Si-SiO2系统的性质

表面电导;8.1表面态;晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断后，

在禁带中产生的附加能级。;5;在x=0处两边，电子的波函数都是按指数关系衰减，表

明电子的分布概率主要集中在该处即电子被局限在表面附

近，把这种电子状态称为表面态，对应的能级称为表面能级。

在一定条件下，每个表面原子在禁带中对应一个表面能级。

推广到三维情形，在三维晶体中，仍是每个表面原子对

应禁带中的一个表面能级，这些表面能级组成表面能带。;(2)从化学键方面说明(以Si晶体为例);2.实际表面情形下的表面态;二、表面态种类;8.2表面电场效应;一、理想MIS结构;二、空间电荷层及表面势;空间电荷区内的电势随距离逐渐变化，使半导体表面相

对体内产生电势差，能带也发生弯曲。称空间电荷层两端的

电势差为表面势(Vs)。表面电势比内部高时，Vs取正值；反

之Vs取负值。;基本上可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况(以p型半导

体为例)：;1.多数载流子堆积状态;16;2.多数载流子耗尽状态;18;;20;;三、表面空间电荷层的电场、电势和电容;23;24;标志半导体空间电荷层性质的重要参数;(二)表面电荷分布;(四)根据表面电场、电荷、电容公式定量分析各种表面层状态;电荷在负值方向急剧地增加;2.平带状态;3.耗尽状态;对于耗尽状态，也可用“耗尽层近似”来处理：;4.反型状态;33;杂质浓度越高，Vs越大，越不易达到反型、强反型;(2)开启电压VT;(3)反型状态时的电场、电荷、电容和耗尽层宽度;37;强反型后，表面耗尽层宽度达到极大值xdm，不再随外加

电压增加而增大(因为反型层中积累的电子屏蔽了外加电场的

作用)。该极大值由半导体材料的性质和掺杂浓度确定：

对一定的材料，掺杂浓度越大，xdm越小；

掺杂浓度一定，对于禁带宽度大的材料，ni越大，xdm越大。;5.深耗尽状态;该状态是在实际中经常遇到的一种较重要的状态。??

如，用电容-时间法测量衬底中少数载流子寿命，用非平衡电容-电压法测量杂质浓度分布剖面时，半导体表面就

处于这种状态；

该状态下“耗尽层近似”仍适用，故耗尽状态下的公式仍适用：;(2)从深耗尽状态向平衡反型状态的过渡过程;耗尽层宽度从深耗尽状态开始时的最大值逐渐减小到强反型的最大耗尽层宽度xdm；

从初始的深耗尽状态过渡到热平衡反型层状态所经历的时间用热弛豫时间τth表示：;8.3MIS结构的电容-电压特性;因此，MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电

荷层电容的串联，如下图所示：;(一)多数载流子堆积状态(VG0);46;(二)平带状态(VG=0，Vs=0);(三)耗尽状态(VG0);该式表明，VG增大时，C/C0减小，原因是耗尽状态下，表面空间电荷厚度xd随VG增大而增大，xd越大，则Cs越小，C/C0越小(CD段)；;(四)强反型状态(VG0);2.高频情况;上式表明，对同一种半导体材料，当温度一定时，Cmin/C0

为绝缘层厚度d0及衬底掺杂浓度NA的函数。当d0也一定

时，NA越大，Cmin/C0越大；;二、n型半导体理想MIS结构的电容-电压(C-V)特性;三、金属与半导体功函数对MIS结构C-V特性的影响;p-;p-;由于金属、半导体功函数的不

同，虽然外加偏压为零，但半

导体表面层并不处于平带状态.

为了恢复平带状态，必须在二者

间加一定的负电压，抵消二者

功函数不同引起的电场和能带

弯曲；

为了恢复平带状态所需加的电

压叫做平带电压：;理想MIS结构的C-V特性曲线平行于电压轴平移了一段距离VFB，在此，向左移动了一段距离|VFB|。;四、绝缘层中电荷对MIS结构C-V特性的影响;这些电荷的存在分别在金属表面和半导体表面层中感应出相反符号的电荷，导致半导体空间电荷层内产生电场，能带发生弯曲。即虽然未加电压，但由于绝缘层内电荷的作用，使半导体表面层离开平带状态。为了恢复平带

状态，必须在金属板上加一定的偏压。;61;假设在绝缘层SiO2(厚度为d0)中距离金属-SiO2界面x处有一层正电荷：