电容屏方案设计制作规范.pptVIP

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panel製作簡介

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.PanelLayoutoverview

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.PanelToplayer上層包括SensorlineITO，DummyITO，shieldingITO和metal最外層包括一個shieldingITO或metal

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.PanelbottomlayerBottomlayer包括DriverlineITO，ShieldingITO和metal最外層為金屬shielding

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.IST的layout由一個個cell組成Cell縱橫排列成panel的AA區每個cell就是一個電容PanelAA區外是金屬連線和遮罩線金屬連線用於連接panel的ITO到FPC遮罩線用於隔離雜訊。遮罩線可以用金屬，也可以用ITO。Panelpattern製作簡介

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.PanelpitchIST的panel，最佳pitch為5mm。範圍在4.8~5.5mm比較合適。X軸與Y軸的pitch可以不相等，但越接近越好IST把panelpitch分為A和B兩種類型，Atype為≤6mm，Btype為＞6mm。兩種pitch結構稍微不同

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcell右圖是一個cell的圖形圖形中包括上下兩層上層為黑色線下層為橘色線本圖用於說明整體效果和上下層對應關係，具體每層圖形由後文說明在各個圖層說明中，相同的符號代表相同的數值AtypeBtype

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcelltoplayer右圖為一個cell上層圖形，Atype與Btype一樣Cell為矩形，長與寬可以不一致通常，a與b為1~1.5mm，d根據生產設備確定，約為20um~200um一個典型值為a=b=1mm，d=30um

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcelltoplayer組合（4個）組合時，分別在橫向（X軸）擴展和縱向（Y軸）擴展在橫向擴展時，兩個cell之間留下一個d的距離在縱向擴展時，cell的邊沿重合在一起（重合的線被刪除）

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcellbottomlayer：Atype右圖為一個cell下層圖形，適用於pitch≤6mm的panelCell為矩形，長與寬可以不一致，但與上層是對應的D=B+df的值在50um~150um

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcellbottomlayer組合（4個）：Atype組合時，分別在橫向（X軸）擴展和縱向（Y軸）擴展在橫向擴展時，與上層不同，兩個cell邊沿要求重合（注意，下層長度比上層長度多一個d）在縱向擴展時，cell的邊沿重合在一起

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcellbottomlayer：Btype右圖為一個cell下層圖形，適用於pitch＞6mm的panelCell為矩形，長與寬可以不一致，但與上層是對應的D=B+df的值在100um~200um

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Panelcellbottomlayer組合（4個）：Btype組合時，分別在橫向（X軸）擴展和縱向（Y軸）擴展在橫向擴展時，與上層不同，兩個cell邊沿要求重合（注意，下層長度比上層長度多一個d）在縱向擴展時，cell的邊沿重合在一起

聯合聚晶股份有限公司IntegratedSolutionsTechnology,Inc.Toplayersh