【英语版】国际标准 ISO 23812:2009 EN Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials 表面化学分析 二次离子质谱法 使用多种三角层参考材料对硅进行深度校准的方法.pdf

ISO23812:2009ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthcalibrationforsiliconusingmultipledelta-layerreferencematerials是关于表面化学分析中二次离子质谱法（SIMS）用于硅的深度校准的标准。

二次离子质谱法是一种表面分析技术，它通过向样品发射二次离子并测量其能量分布来研究样品的表面和近表面的化学组成。这种方法可以提供高分辨率的表面化学信息，因此在材料科学、化学、生物学等领域得到了广泛的应用。

在这个标准中，规定了使用多重δ层参考物质来进行硅深度校准的方法。δ层是一种特殊的化学结构，可以通过对样品表面进行逐层剥离并测量每一层的化学组成来确定。通过使用多重δ层参考物质，可以建立一个深度与SIMS测量得到的峰强度之间的关系，从而实现对硅深度的校准。

这种方法可以帮助研究人员更好地了解样品表面的化学组成和结构，从而更准确地分析和理解样品的性质和行为。同时，深度校准也可以提高SIMS方法的准确性、可靠性和重复性，使其在科学研究、材料制备和质量控制等领域的应用更加广泛和有效。

ISO23812:2009ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthcalibrationforsiliconusingmultipledelta-layerreferencematerials是一个重要的标准，它为二次离子质谱法在表面化学分析中的应用提供了重要的方法和实践指导。