微机原理及应用;第5章存储器;5.1概述;存储器的分类
随机存取存储器(RAM)
双极型半导体RAM
MOS型RAM
静态读写存储器(SRAM)
动态读写存储器(DRAM)
只读存储器(ROM)
;5.1概述----5.1.2存储器芯片的主要技术指标;5.2随机存取存储器RAM;5.2.1存储器的系统结构;图5-216×1静态RAM原理图;5.2.2静态随机存储器(SRAM)
;在写操作时,若要写入“1”,则I/O=1,=0,X地址选择线为高电平,使T5、T6导通,同时Y地址选择线也为高电平,使T7、T8导通,要写入的内容经I/O端和端进入,通过T7、T8和T5、T6与A、B端相连,使A=“1”,B=“0”,这样就迫使T2导通,T1截止。当输入信号和地址选择信号消失后,T5、T6、T7、T8截止,T1、T2保持被写入的状态不变,使得只要不掉电写入的信息“1”就能保持不变。写入“0”的原理与此类似。;读操作时,若某个存储元被选中(X、Y地址选择线均为高电平),则T5、T6、T7、T8都导通,于是存储元的信息被送到I/O端和线上。I/O端和线连接到一个差动读出放大器上,从其电流方向即可判断出所存信息是“1”还是“0”。
常用的典型SRAM芯片有2114、6116、6264、62256、62812等。;?;;图5-5静态存储器6264读周期时序
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