提高主存读写速度技术.pdfVIP

第5章

5.1系统的组成

2.主器的组织

3.随机器和只读器

4.主器的连接与控制

5.提高主存读写速度的技术

6.多体交叉技术

7.高速缓冲器

8.虚拟器

5.5.1主存与CPU速度的匹配

过去，主存的速度通常以纳秒（ns）表

示，而CPU速度总是被表示为兆赫兹（MHz

），最近一些更快更新的主存也用MHz来表

示速度。

主存总线的速度与CPU总线速度相等，

那么主存的性能将是最优的。然而通常主存

的速度于CPU的速度，两者之间存在着

5.5.2内存的发展

•FPMDRAM

•EDODRAM

•SDRAM

•DDRSDRAM

•DDR2、DDR3和DDR4SDRAM

•RambusDRAM

5.5.3多通道内存技术

1.双通道内存技术

双通道内存技术，就是在北桥组里

制作两个内存控制器，这两个内存控制器是

可以相互独立工作的。在这两个内存通道上

，CPU可以分别寻址、数据，从而可以

使内存的带宽增加一倍，理论上数据存取速

度也相应增加一倍。

2.三通道内存技术

Corei7处理器抛弃了前端总线而采用QPI总

线，同时将内存控制器从北桥中成功转移到

CPU中，内存与处理器之间采用点对点连接设

计，内存里的数据可由内存总线直接传送给处

理器，使得内存延迟大幅减少。

三通道将内存总线位宽扩大到了64×3=192

位，同时采用DDR31333内存，因此其内存总线

带宽达到了1333MHz×192÷8=32GB/s，内存带

宽得到巨大的提升。三通道内存的理论性能也能

比同频率双通道内存提升50%以上。