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摘要
摘要
铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高的电子迁移率和低的沉积温度等优良性能，被广
泛应用在液晶显示器和柔性显示器件上。高质量的IGZO薄膜一般通过磁控溅射法来
制备，IGZO靶材是决定其薄膜质量的关键因素。传统制备IGZO靶材需要超高温长
时间烧结，成本高且铟和锌在高温下易挥发从而严重影响靶材的组分，因此在低温下
低成本制备高质量IGZO靶材是急需解决的重要问题。提高IGZO坯体密度是降低烧
结温度与生
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