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基于Sol-Gel法ZrO2忆阻器的制备及阻变机理研究.pdf

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    摘要

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    随着摩尔定律不断逼近物理极限，以闪存（Flash）为主的非易失性存储器在

    特征尺寸不断微缩的工艺进程中面临着无法克服的技术瓶颈。阻变存储器（忆阻

    器）作为下一代非易失性存储器的典型代表，具备结构简单、高密度、低功耗、

    读写速度快等优点而受到广泛研究。忆阻器的阻变性能与其制备方式密不可分，

    主流制备工艺有磁控溅射、原子层沉积(ALD)、脉冲激光沉积（PLD）和近年来

    新兴的非真空条件下的镀膜方法，其中，溶胶凝胶

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