晶体硅光伏组件 光热诱导衰减（LETID）试验 检测.pdfVIP

晶体硅光伏组件-光热诱导衰减（LETID）试验-检测

1范围

本文件规定了晶体硅光伏组件光热诱导衰减（LETID）的测试方法，包括仪器装置、样品准备、测

试步骤、结果处理和报告内容等。

本文件适用于晶体硅光伏组件，用于揭示样品对LETID衰减机制的敏感性，但不能精确测量其在

户外实际的衰减情况。户外衰减的程度和时间尺度取决于所处气候和组件技术。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2297太阳光伏能源系统术语、定义与符号（IECTS61836:2016Solarphotovoltaicsenergy

systems-Terms，definitionsandsymbols）

GB/T9535.1地面用光伏组件设计鉴定和定型第2部分试验要求（IEC61215-2：2021，IDT

Terrestrialphotovoltaic(PV)modules–Designqualificationandtypeapproval–Part1:Testrequirements)

GB/T9535.2地面用光伏组件设计鉴定和定型第2部分试验程序（IEC61215-2：2021，IDT

Terrestrialphotovoltaic(PV)modules–Designqualificationandtypeapproval–Part2:Testprocedures)

IECTS60904-13光伏设备第13部分：光伏组件电致发光（Photovoltaicdevices–Part13:

Electroluminescenceofphotovoltaicmodules）

ISO/IECGuide98-3测量的不确定性第3部分：测量不确定性的表达指南（Uncertaintyof

measurement–Part3:Guidetotheexpressionofuncertaintyinmeasurement(GUM:1995)）

3术语和定义

GB/T2297,GB/T9535.1,GB/T9535.2界定的术语和定义同样适用于本文件。

3.1

光热诱导衰减lightandelevatedtemperatureinduceddegradation；LETID

指在高温光照状态下组件功率衰减的总和。

4样品准备

本测试需准备三件组件，其中两件作为测试组件，一件作为控制件，用于跟踪模拟器可能的漂移及

组件在测试中的亚稳态。组件应当在暗态、35℃以下的室温保存。

测试组件应当按照相应的设计图纸和工艺流程、使用规定的材料和部件进行制作，并通过制造商的

正常检验、质量控制和生产验收程序。

5测试设备

执行本文件中规定的光热诱导衰减试验需要以下设备：

a)环境箱：自动温控，内部通风循环，能使一个或多个组件加热到指定温度（75±3）℃；

b)安装或支撑组件的装置：使组件周围空气自由流通；

c)组件温度测量设备：精度在±2℃，再现性在±0.5℃；

d)直流电源供应器：能提供2×I-I大小的电流，如6.4中所述；精度至少为1%;

SCinitialnMPPinitialn

3

e)暗电压及电流的测量设备：数据采集时间间隔的分辨率至少为5分钟。电流和电压的测量精

度至少在±0.2%。

6测试方法

6.1概述

适用的测试程序如图所示。

图1LETID的测试程序

6.2外观检查

本试验同GB/T9535.24.1章节（MQT01），无内容更改。

6.3电致发光试验

向组件通入1倍或0.1倍短路电流（Isc）大小的正向电流，并记录对应偏压下的电致发光（EL）图

像。不同电流密度下的EL图像测试，可用于分析缺陷成因，或区分少子寿命分布