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1+X集成电路理论试题库(附答案)
一、单选题(共40题,每题1分,共40分)
1、进行料盘包装时,一个内盒中通常装有()袋真空包装完的料盘。
A、1
B、2
C、3
D、4
正确答案:A
答案解析:进行料盘包装时,-个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。
2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时,其测试环节的流程正确的是()。
A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选
B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试
C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选
D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试
正确答案:C
3、点银浆时,银浆的覆盖范围需要()。
A、小于50%
B、大于50%
C、大于75%
D、不小于90%
正确答案:C
答案解析:引线框架被推至点银浆指定位置后,点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆(银浆覆盖范围75%)。
4、载带的预留长度一般是()。
A、10-30cm
B、30-50cm
C、70-90cm
D、50-70cm
正确答案:D
5、下列语句的含义是()。
A、-OUT=0X00FF;
B、-OUT|=0X0F00;
C、GPIOB低八位端口,高四位为低,低四位为高
D、GPIOB低八位端口,高四位为高,低四位为低
E、GPIOB高八位端口,高四位为低,低四位为高
F、GPIOB高八位端口,高四位为高,低四位为低
正确答案:C
6、下列选项中,()是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检
B、第二道光检
C、第三道光检
D、第四道光检
正确答案:A
答案解析:封装工艺中,第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查,是否有出现废品(崩边等情况)。引线键合完成后要进行第三道光检,主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光检,针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
7、解决铝尖刺的方法有()。
A、在合金化的铝中适当地添加铜
B、采用三层夹心结构
C、在合金化的铝中适当地添加硅
D、采用“竹节状”结构
正确答案:C
答案解析:解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。
8、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用DHF清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。
A、光刻胶
B、颗粒
C、金属
D、自然氧化物
正确答案:D
9、在使用万用表之前先应()。
A、表笔短接
B、选择合适的挡位
C、机械调零
D、选择合适的量程
正确答案:C
10、薄膜淀积完成后,需要进行质量评估。其中()是检测薄膜质量、组分及纯度的有效参数,可以用椭偏仪测量。
A、厚度
B、折射率
C、台阶覆盖率
D、均匀性
正确答案:B
11、用平移式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是()。
A、分选
B、上料
C、测试
D、外观检查
正确答案:C
答案解析:平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料→测试→分选→外观检查→真空包装。
12、晶圆检测工艺中,在进行打点工序以后,需要进行的工序是()。
A、扎针调试
B、外观检查
C、扎针测试
D、烘烤
正确答案:D
13、化学机械抛光中,抛光液的作用是()。
A、与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化
B、向抛光垫施加压力
C、将反应生成物从硅片表面却除
D、清洗硅片
正确答案:A
答案解析:硅片固定在抛光盘上后,抛光盘和装有抛光垫的旋转盘开始旋转,同时喷淋抛光液;然后抛光盘向抛光垫施加压力,此时抛光液在硅片和抛光垫之间流动,抛光液中的物质与硅片表面材料反应,变为可溶物质或将一些硬度过高的物质软化;通过研磨作用将反应生成物从硅片表面去除,进入流动的液体排出。
14、一般情况下,制造晶圆的原材料是()。
A、硼
B、锗
C、硅
D、硒
正确答案:C
答案解析:晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。
15、下列关于平移式分选机描述错误的是()。
A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域
B、料盘输送到待测区的指定位置后,吸嘴从料盘上真空吸取芯片,然后转移至“中转站”
C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区
D、当待测区料盘上的芯片全部转移后,需要更换料盘,继续进行上料
正确答案:A
16、()分选工序依靠主转盘执行,上料后主转盘旋转,每转动一格,都会将产品送到各个工位,每个工位对应不同的作用,包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等,从而实现芯片的测试与分选。
A、重力式分选机
B、真空螺旋分选机
C、转塔式分选机
D、平移式分选机
正确答案:C
17、{平移式分选机进行芯片检测时,芯片在该区域的操作完成后会进入()区域。}
A、上料
B、待测
C、测试
D、分选
正确答案:D
答案解析:该图红色所框区域有L字型的测压手臂,为平移式分
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