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汽车用多芯片组件应力测试要求

1范围

本文件规定了汽车用多芯片组件的应力测试要求、鉴定和重新鉴定、鉴定试验程序，以及为保证汽

车用多芯片组件满足预定用途所要求的质量和可靠性而采取的控制措施和限制条件。

本文件适用于汽车用多芯片组件的设计、制造和测试。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法

GB/T35005集成电路倒装焊试验方法

GJB548微电子器件试验方法和程序

GJB7677球栅阵列(BGA)试验方法

SJ21147.2集成电路电磁发射测量方法第2部分辐射发射测量—TEM小室和宽带TEM小室法

3术语和缩略语

下列术语和缩略语适用于本标准。

3.1术语和定义

3.1.1

鉴定qualification

产品按规定的标准、程序和条件下所作的全部测试试验，来评估是否满足质量可靠性要求。

3.1.2

用户user

通过鉴定的汽车用集成电路多芯片组件使用厂商。

3.1.3

供应商supplier

用于汽车应用，负责设计或集设计、制造、封装于一身的多芯片组件供应厂商。

3.1.4

任务剖面missionprofile

1

在汽车某一应用的全生命周期，完成某个特定任务时，基于时间所经历的事件和环境。

3.1.5

过程能力指数processcapabilityindex

过程能力满足技术标准（例如规格、公差）的程度，一般记为C。

PK

3.1.6

晶粒die

从硅晶圆上切割而成，还未封装前具有独立功能的一小块集成电路本体。

3.1.7

子部件subcomponent

多芯片组件结构中包括的元件，包括集成电路、分立、无源、印刷电路板或互连线，可以是塑封和

/或未塑封（晶粒）组合成单个密封或非密封的封装体。

3.1.8

多芯片组件MultichipModule；MCM

多个有源和/或无源子部件互连，以此在单个多芯片组件封装内形成单个复杂电路。

3.1.9

3.2缩略语

ADC：模数转换器（Analog-to-DigitalConverter）

CMOS：互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）

DRAM：动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory）

FIT：时间故障率（FailureInTime）

KBTM：基于知识的测试方法（KnowledgeBasedTestMethod）

NMOS：N型金属氧化物半导体（N-Metal-Oxide-Semiconductor）

SRAM：静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory）

UBM：凸点下金属层（UnderBumpMetallurgy）

4要求

4.1总则

多芯片组件包含多个有源或无源器件，通过电气互联形成单个封装的复杂电路。多芯片组件最终焊

接到印刷电路板上使用。对于以下情况，不在本文件覆盖范围内：

a）被一级供应商或整车厂将多个器件或多芯片组件直接装配到系统的情况；

b）光电半导体器件，如发光二极管等；

c）微机电传感器，如压力传感器等；

d）功率模块，如集成了IGBT、MOSFET、二极管、传感器、电容等的功率模块；

e）固态硬盘（固态驱动器）；

2

f）组件/模组的外部连接不是通过焊接到印刷电路板上使用的情况。

典型的多芯片组件的制造工艺过程详见图1。