T∕CASA017-2021 第三代半导体微纳米金属烧结技术术语.pdf

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标题第三代半导体微纳米金属烧结技术术语概述第三代半导体微纳米金属烧结技术术语包括但不限于IC31030CCSL9599CASATCASA0172021第三代半导体产业发展技术创新战略联盟范围包括半导体封装烧网络理烧结过程原现以及电子纺织工艺等方面该技术旨在提供更高效低成本且能适应不同器件特性的半导体封装方案，特别是用于高能效器件HPCs中的封装同时，通过烧网络理可实现更稳定的电路设计，并提高电子产品的可靠性电烧结材料

ICS31.030

CCSL95/99CASA

g窑汪￥！！！咄

团体标准

T/CASA017-2021

第三代半导体微纳米金属烧结技术术语

Terminologyofmicro-nanometalIicsinteringtechnologyforwide-

bandgapsemiconductor

2021-11-01发布2021-12-01实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASA017-2021

前言…………………..III

引言．．．．．．．．．．··…··…··…··…··…··…··…··…··…··…··…··…··………··制IV

l范围．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．··…··…··…··…··…··…··…··…··………··制…….l

z规范性引用文件.............I

3术语和定义．．．．．．．．．．．．．．．··…··…··…··…··…··…··…··…··………·……………..·•··•·...l

3.1.2半导体封装.......….….….......….......…........”…...………..…...…...…...…..............I

3.1.3烧络技术.......…………………·．．”…………......2

1l烧络原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．……..3

321材料原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．……..3

32.2烧结过程原现．．．．．．………··…··…··…··…··…··……………...3

1电烧结材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．··…··…··…··…··…··…··……………...4

3.J烧纺工艺·············……………u……….…...…...…...……....................8

3.4.I烧结前泞，工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．…….…...…...…...…...…..........8

3.4.2烧纺工艺．．．．………………

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