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目的研究曝光效率高的ITO薄膜制备工艺，探讨光催化和溶剂蒸镀在不同工艺参数下的影响方法采用QH250教学实验镀膜机进行电子束制备ITO薄膜通过观察曝光时薄膜的透明度变化和光发射功率的变化，验证和优化电子束处理工艺方案分析与结论1电子束蒸发法制备ITO薄膜的效果显著，具有高曝光效率和低电阻率优点但需考虑纯度因素，确保目标金属的选择2磁控溅射法制备ITO薄膜虽然能提高曝光效率，但需要调整喷嘴直径，保证电子束均匀分布于薄膜上，有利于提高吸收面积3化学
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ITO薄膜的电子束制备工艺设计及制作
摘要
氧化铟锡材料简称ITO，是透明导电氧化物（TransparentConductingFilms简称TCO）薄膜的一种，具备高可见光透过率和低电阻率的优点。目前，广泛应用于发光二极管（LED）、平板显示器（LCD）、太阳能电池、交通工具风挡、晶体管制造等领域。
本实验拟采用QH-250教学实验镀膜机，利用电子束蒸镀工艺制备ITO薄膜，研究了束流大小、蒸发时间、真空度这三种工艺参数对薄膜透光性以及导电性能的影响，设计了电子束制备ITO薄膜的工艺方案，通过对文献中的实验数据分析，论证了实验方案的合理性和可行性，并推测出电子束制
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